Tutto ciò che devi sapere sull'MG75Q1BS11 TOSHIBA
2025-03-31 216

MG75Q1BS11 è un modulo IGBT di alta qualità realizzato da Toshiba, progettato per il controllo dei motori e gestire l'alta potenza.Funziona velocemente, risparmia energia ed è costruito per durare.Questo articolo spiega le sue caratteristiche, come funziona, dove viene utilizzato e perché è un'ottima scelta per i sistemi industriali.

Catalogare

Panoramica MG75Q1BS11

IL MG75Q1BS11 è un IGBT a canale N N (transistor bipolare gate isolato), progettato per il controllo del motore esigente e applicazioni di commutazione ad alta potenza.Combina l'efficienza della tecnologia IGBT con le capacità di commutazione rapida di un MOSFET di potenza, rendendolo ideale per l'uso in unità industriale, inverter e sistemi di automazione.Questo modulo offre un'eccellente gestione della potenza, una conversione di energia efficiente e una migliore affidabilità del sistema.Con velocità di commutazione veloci e bassa perdita di potenza, aiuta a ottimizzare le prestazioni in ambienti ad alta intensità di energia.L'MG75Q1BS11 è ampiamente affidabile per la sua durata e efficacia nelle operazioni industriali, dove il controllo coerente ed efficiente è fondamentale.Gli acquirenti che cercano una soluzione affidabile per i sistemi industriali su larga scala possono beneficiare della sua comprovata progettazione e disponibilità attraverso i fornitori globali.

Per OEM, servizi di riparazione e distributori, ora è il momento perfetto per effettuare gli ordini sfusi e proteggere un componente affidabile per le esigenze di elettronica di alimentazione.

Circuito equivalente MG75Q1BS11

Questo diagramma a circuito equivalente per il MG75Q1BS11 rappresenta un modulo Transistor bipolare a gate isolato (IGBT), che combina le caratteristiche di Entrambi i MOSFET E Transistor bipolari.In questo circuito, G (b) rappresenta il cancello (o base), C è il collettore, E E è il emettitore.Il simbolo utilizzato mostra chiaramente che il dispositivo funziona come un IGBT, che è controllato tramite il terminale di gate.Quando viene applicata una tensione tra il cancello e l'emettitore, consente il flusso di corrente tra il collettore e l'emettitore.L'ingresso del gate richiede solo una piccola tensione per innescare la conduzione, rendendo l'IGBT efficiente dal punto di vista energetico e adatto per applicazioni di commutazione ad alta velocità come inverter, unità motore e alimentatori.Il diagramma aiuta gli ingegneri a visualizzare la funzione di commutazione di base di MG75Q1BS11 e come si integra in sistemi elettronici di potenza più ampi.

Caratteristiche MG75Q1BS11

• Elevata impedenza di input: Facilita facili requisiti di azionamento, consentendo un'interfaccia efficiente con circuiti di controllo.

• Commutazione ad alta velocità: Garantisce tempi di risposta rapidi, con un tempo di caduta (TF) di 1,0 µs (massimo), migliorando le prestazioni complessive del sistema.

• Bassa tensione di saturazione: Riduce le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza.

• Design robusto: Progettazione per resistere all'alta tensione e alle sollecitazioni di corrente, garantendo l'affidabilità in ambienti impegnativi.

Applicazioni MG75Q1BS11

• Drive a motore industriale: Utilizzato in unità a frequenza variabile (V_Fds) e servo guida per controllare la velocità e Coppia di motori elettrici nei macchinari industriali.

• Sistemi HVAC: Usato in Compressori a velocità variabile e ventole all'interno di riscaldamento, ventilazione e aria Sistemi di condizionamento per il funzionamento ad alta efficienza energetica.

Disegno del contorno MG75Q1BS11

Questo disegno di contorno dell'MG75Q1BS11 fornisce specifiche dimensionali dettagliate per l'imballaggio fisico del modulo IGBT.Il modulo ha un'impronta rettangolare con una larghezza di 53 mm e a Lunghezza di 33 mm, entrambi con tolleranze di ± 0,5 mm.Il totale altezza è approssimativamente 32 mm, garantendo un fattore di forma compatto adatto per applicazioni limitate allo spazio.

Il montaggio è facilitato da tre Fori a vite M4e aggiuntivo fori di allineamento (Ø2,2 mm) sono inclusi per garantire l'installazione sicura.La spaziatura e le altezze terminali sono definite con precisione, critiche per una corretta connessione elettrica e dissipazione del calore.I terminali del connettore aumentano a altezza di 29 mm, con distanze specifiche contrassegnate per l'allineamento e l'assemblaggio.

MG75Q1BS11 Valutazioni massime

Parametro Nome (simbolo)	Valore e Unità
Tensione del collettore-emettitore (vCes)	1200 v
Tensione di gate-emetter (vGes)	± 20 v
Corrente di collettore continuo (iC)	75 a
Corrente collettore pulsata, 1ms (iCp)	150 a
Dissipazione della potenza del collettore a tC = 25 ° C (pC)	300 w
Temperatura di giunzione (tJ)	150 ° C.
Intervallo di temperatura di conservazione (tSTG)	-40 a +125 ° C
Tensione di isolamento (visolamento) (AC, 1 minuto)	2500 v
Coppia a vite (terminale / montaggio)	2/3 n · m

Caratteristiche elettriche MG75Q1BS11

Parametro Nome (simbolo)	Valore e Unità
Corrente di perdita di gate (iGes)	± 500 Na
Corrente di cut-off del collettore (iCes)	1,0 Ma
Tensione del collettore-emettitore (vCes)	1200 v
Tensione di taglio del gate-emettitore (VGe (off))	3.0 - 6.0 V.
Tensione di saturazione da collezione-emettitore (VCE (sabato))	2.3 - 2,7 V.
Capacità di input (cie)	10500 pf
Time di alzatura (tR)	0,3 - 0,6 µs
Tempo di accensione (tSU)	0,4 - 0,8 µs
Tempo di autunno (tF)	0,6 - 1,0 µs
Tempo di svolta (tspento)	1,2 - 1,6 µs
Resistenza termica, giunzione al caso (RTH (J-C))	0,41 ° C/W.

Vantaggi MG75Q1BS11

• Alta efficienza: Grazie alla sua bassa tensione di saturazione e alle capacità di commutazione rapida, il modulo riduce al minimo le perdite di energia durante il funzionamento, portando a una migliore efficienza complessiva.

• Requisiti di azionamento ridotti: Con un'elevata impedenza di input, semplifica la progettazione dei circuiti di guida di gate, consentendo una più facile integrazione nei sistemi.

• Prestazioni di sistema migliorate: Il tempo rapido di risposta migliora l'accuratezza e le prestazioni delle applicazioni di controllo del motore e commutazione.

• Compatto e affidabile: Il design robusto garantisce un'affidabilità a lungo termine anche in stress ad alta tensione e corrente, riducendo le esigenze di manutenzione.

• Soluzione economica: Offre un buon equilibrio tra prestazioni e prezzo, rendendolo una scelta economica per OEM e utenti industriali.

• Uso versatile: Adatto per una vasta gamma di applicazioni come inverter, convertitori di potenza e unità motoria, aumentando la sua adattabilità.

MG75Q1BS11 Problemi e soluzione comuni

• Surriscaldamento: Prevenire danni termici utilizzando efficienti dissipatore di calore, cuscinetti termici e sistemi di raffreddamento attivo per gestire il calore in eccesso.

• Guasto dell'unità gate: Assicurarsi di un funzionamento stabile utilizzando un driver di gate correttamente classificato e isolato che soddisfa i requisiti di controllo dell'IGBT.

• Condizioni di corto circuito o sovracorrente: Proteggi il modulo da picchi di corrente improvvisi con fusibili ad azione rapida, circuiti di avvio a morbido o componenti di limitazione della corrente.

• Oscillazioni parassita: Ridurre al minimo il rumore e l'instabilità della commutazione ottimizzando il layout PCB e aggiungendo circuiti di snubber o perle di ferrite.

• INCORDAZIONI DEL CLIETTO DI SALDA: Evita la fatica meccanica e termica utilizzando la saldatura di livello industriale e proteggendo il modulo contro le vibrazioni o lo stress.

Prodotti alternativi MG75Q1BS11

Confronto: MG75Q1BS11 VS MG75Q2YL1

IL MG75Q1BS11 E MG75Q2YL1 sono entrambi moduli IGBT ad alta potenza (transistor bipolare a gate isolati) progettati per applicazioni industriali esigenti, in particolare nei dischi motori e nei sistemi di commutazione di alimentazione.IL MG75Q1BS11 , prodotto da Toshiba, è ben consolidato per le sue prestazioni affidabili, velocità di commutazione rapida, E Efficiente gestione termica—Sersi una scelta popolare nei sistemi di automazione e inverter.D'altra parte, MG75Q2YL1 è anche classificato come a Modulo transistor di potenza, sebbene i dettagli dei suoi produttori siano meno comunemente citati nelle fonti disponibili.Entrambi i moduli sono prontamente disponibili dai fornitori globali e sono adatti per ambienti di commutazione ad alta potenza simili.Tuttavia, l'MG75Q1BS11 beneficia di una documentazione più ampia e di un sostegno del marchio affidabile, che può offrire una maggiore fiducia nel supporto e nell'integrazione a lungo termine.Per un confronto preciso basato su caratteristiche elettriche come rating di tensione, capacità di corrente e resistenza termica, gli utenti dovrebbero consultare i rispettivi schesi dati.Ciò contribuirà a scegliere il modulo giusto su misura per requisiti di progettazione specifici.

Produttore MG75Q1BS11

MG75Q1BS11 è realizzato daToshiba Corporation, fondato nel 1875 e con sede a Tokyo, in Giappone, è leader globale in apparecchiature elettroniche e elettriche diversificate.La società opera in vari settori, tra cui sistemi energetici, infrastrutture sociali, dispositivi elettronici e soluzioni digitali.Toshiba è rinomata per la sua innovazione e qualità, offrendo una vasta gamma di prodotti come semiconduttori, dispositivi di stoccaggio e sistemi industriali.Il MG75Q1BS11 è tra i moduli di transistor bipolare a gate isolati al gate isolati di Toshiba (IGBT), che riflettono l'impegno dell'azienda a fornire componenti affidabili per applicazioni ad alta potenza.

Conclusione

L'MG75Q1BS11 è un modulo IGBT forte, affidabile ed efficiente per i sistemi di controllo del controllo di alimentazione e del motore.Realizzato da Toshiba, è facile da usare, funziona bene in ambienti difficili ed è affidabile da molti settori.Se hai bisogno di un modulo di potenza affidabile, ora è un buon momento per ordinare in blocco.

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MG75Q1BS11 Dati Stitimei: