FF200R06KE3 Foglio di dati, funzionalità e applicazioni industriali
2025-04-03 185

FF200R06KE3 di Infineon Technologies è un potente componente utilizzato nella gestione in modo efficiente delle esigenze di potenza.Questo modulo è ricco di piccole dimensioni ma offre prestazioni elevate con tecnologia IGBT avanzata e caratteristiche speciali per una migliore efficienza.Questo articolo spiega le caratteristiche chiave, la progettazione e i vantaggi del modulo, sottolineando il suo ruolo in varie applicazioni.

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Panoramica FF200R06KE3

IL FF200R06KE3, realizzato da Infineon Technologies, è un modulo a doppia gate Bipolare Transistor (IGBT) che si distingue con le sue specifiche di 600 V, 200 A.Raccontati in un pacchetto compatto da 62 mm, combina la tecnologia TrenchStop ™ IGBT3 con un diodo 3 controllato con emettitore.Questa integrazione aumenta sia l'efficienza che le prestazioni, rendendola una scelta migliore per le applicazioni che richiedono una solida gestione dell'alimentazione.

Per coloro che cercano di effettuare ordini sfusi, FF200R06KE3 offre una soluzione affidabile e ad alte prestazioni per soddisfare le tue esigenze.

FF200R06KE3 Funzionalità

• Valutazioni di tensione e corrente: In grado di gestire fino a 600 V e 200 A, rendendolo adatto per applicazioni ad alta potenza.

• Tecnologia avanzata: Utilizza le tecnologie a 3 diodi TrenchStop ™ IGBT3 e controllate da emetter per le caratteristiche di commutazione ottimizzate, tra cui una morbidezza migliorata e una riduzione delle perdite di commutazione.

• Temperatura operativa elevata: Progettato per funzionare a temperature fino a 150 ° C, garantendo l'affidabilità in condizioni impegnative.

• Stile di montaggio: È dotato di una progettazione di montaggio a vite per l'installazione sicura e semplice.

• Certificazione UL/CSA: Certificato in UL1557 E83336, soddisfando severi standard di sicurezza e prestazioni.

• Conformità ROHS: Conformazioni alla restrizione della direttiva di sostanze pericolose, riflettendo il suo design ecologico.

Specifiche FF200R06KE3

Valori di massima valutazione

Valori caratteristici

Diagramma del circuito FF200R06KE3

Il diagramma del circuito mostra la struttura interna del modulo IGBT FF200R0KE3.Presenta due transistor IGBT collegati in una configurazione a metà ponte, che è comune per la commutazione di applicazioni come inverter e motori.I terminali 1 e 3 sono i collezionisti di ciascun IGBT, mentre i terminali 2 e 4 sono gli emettitori.Ogni IGBT è abbinato a un diodo anti-parallelo, che consente di fluire la corrente nella direzione opposta durante la commutazione.I terminali 5 e 6 rappresentano i controlli del gate per gli IGBT e il terminale 7 è una connessione emettita condivisa.Questo layout supporta una commutazione efficiente e un recupero inverso affidabile attraverso i diodi incorporati.È progettato per gestire correnti elevate e tensione con una perdita di potenza ridotta.FF200R06KE3 è una soluzione pratica per i sistemi che necessitano di una commutazione stabile e ad alte prestazioni.

Alternative FF200R06KE3

• AMFF200R06KE3

• FF200R12KE3

• FF300R06KE3

• FF200R06KE3HOSA1

• FF200R06KE3-B2

Applicazioni FF200R06KE3

Drive di inverter controllati in frequenza

Le caratteristiche di commutazione ottimizzate del modulo, come una riduzione delle perdite di commutazione e una migliore morbidezza, migliorano le prestazioni e l'efficienza dei sistemi di inverter.​

Drive a motore industriale

In grado di gestire correnti e tensioni elevate, FF200R06KE3 è adatto per il controllo di grandi motori industriali, fornendo un funzionamento motorio affidabile e preciso.

APRITENZE

Le capacità di gestione dell'alta potenza del modulo lo rendono ideale per l'uso in unità di alimentazione che richiedono una conversione e una gestione di energia efficienti.

Sistemi di energia rinnovabile

In applicazioni come la conversione dell'energia solare e del vento, l'FF200R06KE3 può essere utilizzato per gestire il trasferimento efficiente e la conversione dell'energia da fonti rinnovabili.

Schema del pacchetto FF200R06KE3

Il diagramma di imballaggio di FF200R06KE3 mostra un layout meccanico dettagliato del modulo.Utilizza un alloggiamento standard da 62 mm, misurando 106,4 mm di lunghezza e 62 mm di larghezza.Il modulo ha tre terminali principali per le connessioni di alimentazione, ciascuno distaccato uniformemente a 28 mm di distanza, con fori di montaggio su entrambe le estremità per l'installazione sicura.L'altezza dell'alloggiamento è di circa 30 mm, compresi i perni terminali.Include un connettore di controllo a 7 pin (DIN46244-A2.8-0.5-BZ) sul lato per il controllo del segnale di gate e dell'emettitore.Il disegno specifica anche le profondità di montaggio (minimo 7 mm, massimo 10 mm) e tolleranze secondo gli standard ISO2768.Questo profilo standardizzato ti aiuta a integrare facilmente il modulo nei tuoi progetti con montaggio e cablaggio precisi.

Benefici FF200R06KE3

Alta efficienza: Utilizzando la tecnologia IGBT avanzata, il modulo raggiunge una bassa caduta di tensione sullo stato, con conseguente riduzione delle perdite di conduzione e una migliore efficienza complessiva.

Robusta performance termica: Progettato per una buona stabilità termica, FF200R06KE3 può funzionare efficacemente in condizioni ad alta temperatura, garantendo prestazioni e longevità coerenti.

Facilità d'uso: Il modulo presenta un design del montaggio a vite, facilitando l'installazione semplice e sicura in vari sistemi.​

Design compatto: Con una lunghezza di 106,4 mm, FF200R06KE3 offre un fattore di forma compatto, consentendo un uso efficiente dello spazio all'interno di apparecchiature e sistemi.​

Produttore

Infineon Technologies AG, con sede a Neubiberg, in Germania, è uno dei principali produttori di semiconduttori globali.Fondata nel 1999 come spin-off di Siemens AG, Infineon è diventato una delle prime dieci società di semiconduttori al mondo.La società impiega circa 58.000 persone e ha registrato vendite di circa 15 miliardi di euro nel 2024.

FF200R06KE3 vs. FF200R12KE3 Confronto

Parametro	FF200R06KE3	FF200R12KE3
Tensione del collettore-emettitore (vCes)	600 v	1200 v
Corrente di collettore continuo (iC)	200 a	200 a
Tipo di pacchetto	62 mm	62 mm
Tecnologia IGBT	TrenchStop ™ IGBT3	TrenchStop ™ IGBT3
Tecnologia dei diodi	Emettitore controllato 3 diodo	Diodo ad alta efficienza controllata da emettitore
Temperatura di giunzione operativa (tVJ op)	Fino a 150 ° C.	Fino a 125 ° C.
Tensione di saturazione da collezione-emettitore (VCesat)	1,9 v a vGe = 15 V, IC = 200 a	2,0 v a vGe = 15 V, IC = 200 a
Capacità di input (CIE)	13.0 nf	14,0 nf
Capacità di trasferimento inversa (CRES)	0,5 nf	0,5 nf
Gate Charge (QG)	1,9 µc	1,9 µc
Resistenza al gate interno (RGINT)	3,8 Ω	3,8 Ω
Tempo di ritardo dell'accensione (tassistente))	0,25 µs	0,25 µs
Rise Time (TR)	0,09 µs	0,09 µs
Tempo di ritardo di spegnimento (td (spento))	0,55 µs	0,55 µs
Tempo di caduta (TF)	0,13 µs	0,13 µs
Dissipazione totale di potenza (Ptot)	680 w	1050 w
Tensione di test di isolamento (VIsolamento)	2500 v	2500 v
Peso	340 g	340 g
Stile di montaggio	Monte a vite	Monte a vite
Certificazione	UL1557 E83336	UL1557 E83336
Conformità ROHS	SÌ	SÌ

Conclusione

In sintesi, il modulo FF200R06KE3 di Infineon Technologies dimostra l'innovazione nella gestione del potere.È progettato per supportare una vasta gamma di applicazioni impegnative con le sue prestazioni elevate e solide.Questo articolo mostra perché FF200R06KE3 è una scelta affidabile per chiunque abbia bisogno di soluzioni di energia avanzata, rendendolo uno strumento prezioso nelle moderne contesti industriali.

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