Modello del Prodotto

1MBI1400L-120

Introduzione

Modulo IGBT

Marca e Produttore

FUJI

Caratteristiche

Tecnologia del Transistor Bipolare a Gate Isolato, bassa perdita di potenza, alta frequenza di commutazione, diodo di paracadute integrato.

Prestazioni del Prodotto

Alta efficienza, ottimizzato per applicazioni ad alta tensione fino a 1200V, supporta gestioni di corrente elevate fino a 1400A.

Specifiche Tecniche

Tensione Collettore-Emitter: 1200V, Corrente Collettore: 1400A, Tensione Gate-Emitter: ±20V, Dissipazione di Potenza: 4400W, Temperatura di Giunzione: -40°C a +150°C.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto del modulo, dimensioni: 140 mm x 190 mm x 40 mm, peso: 2 kg.

Qualità e Affidabilità

Robusta prestazione termica, progettato per ambienti difficili, alta MTBF (Tempo Medio Tra i Guasti).

Vantaggi del Prodotto

Efficiente dal punto di vista energetico, alta densità di potenza, facile integrazione.

Competitività del Prodotto

Competitivo con moduli IGBT simili di marchi come Infineon e Semikron.

Compatibilità

Compatibile con tensioni di pilotaggio standard del gate, adatto all'uso con progetti esistenti di elettronica di potenza.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conformità agli standard internazionali come UL, CE.

Durata e Sostenibilità

Progettato per una lunga vita operativa, componenti e materiali ecologici.

Campi di Applicazione Effettivi

Veicoli elettrici, inverter per energia solare, turbine eoliche, azionamenti per motori industriali, sistemi di gestione dell'energia.

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