Modello del Prodotto

1MBI200L-120

Introduzione

Modulo IGBT

Marca e Produttore

FUJI

Caratteristiche

Tecnologia IGBT (Transistor Bipolare a Gate Isolato) con bassa perdita di potenza, elevata velocità di commutazione e diodo di recupero integrato.

Prestazioni del Prodotto

Modulazione della conducibilità efficiente, ottimizzato per applicazioni ad alta tensione fino a 1200 volt.

Specifiche Tecniche

Tensione Collettore-Emettitore: 1200 V. Corrente Collettore: 200 A. Tensione Gate-Emettitore: ±20 V. Dissipazione di Potenza: 780 W.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Tipo modulo, confezione standard, dimensioni specifiche nel data sheet del prodotto.

Qualità e Affidabilità

Alta stabilità termica ed elettrica, lunga vita operativa, conforme agli standard internazionali di affidabilità.

Vantaggi del Prodotto

Migliore prestazione termica, basse perdite di commutazione e conduzione, costruzione robusta del modulo.

Competitività del Prodotto

Competitivo in applicazioni ad alta potenza, adatto per ambienti esigenti.

Compatibilità

Compatibile con driver di gate standard, integrazione flessibile con sistemi esistenti.

Certificazione e Conformità ai Standard

Rispetta gli standard globali del settore per la sicurezza e le prestazioni.

Durata e Sostenibilità

Progettato per una lunga affidabilità, sostenibilità attraverso prestazioni ad alta efficienza energetica.

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di energia rinnovabile, motori elettrici per veicoli elettrici, azionamenti industriali per motori, sistemi di gestione dell'energia.

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