Modello del Prodotto

7MBI75U4S120

Introduzione

Modulo di Transistor Bipolare a Gate Insulato (IGBT)

Marca e Produttore

Fuji Electric (FE)

Caratteristiche

Capacità di commutazione ad alta velocità, bassa tensione di saturazione collettore-emettitore, alta impedenza di ingresso, diodo di ricircolo integrato.

Prestazioni del Prodotto

Alta efficienza nella conversione di potenza, prestazioni termiche ottimizzate per stabilità, resistente in ambienti elettrici difficili, basse perdite energetiche.

Specifiche Tecniche

Tipo IGBT: 7MBI75U4S120, tensione nominale: 1200V, corrente nominale: 75A.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Imballaggio del modulo - standardizzato per un'integrazione facile, dimensioni compatte per un'installazione salvaspazio, l'imballaggio garantisce un trasporto e una conservazione sicuri.

Qualità e Affidabilità

Costruito con materiali di alta qualità, soggetto a rigorosi processi di controllo qualità, operatività affidabile a lungo termine.

Vantaggi del Prodotto

Risparmio energetico mediante riduzione delle perdite, alta capacità di conduzione della corrente, adatto per applicazioni ad alta tensione.

Competitività del Prodotto

Prezzo competitivo nel mercato dei moduli IGBT, prestazioni equilibrate per un'ottimizzazione dei costi.

Compatibilità

Progettato per essere compatibile con una vasta gamma di sistemi e circuiti.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme alle certificazioni standard del settore per l'elettronica e la sicurezza.

Durata e Sostenibilità

Lunga vita operativa con prestazioni sostenibili nel tempo, materiali ecologici e processi produttivi sostenibili.

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di controllo motore, inverter e convertitori per energie rinnovabili, alimentatori per utilizzo industriale, applicazioni per veicoli elettrici.

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