ADP3410KRU-REEL7
Modello di prodotti ADP3410KRU-REEL7
fabbricante onsemi
Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14TSSOP
quantità disponibile 2674 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di ADP3410KRU-REEL7
codice articolo del costruttore ADP3410KRU-REEL7 Categoria Circuiti integrati (ICS)
fabbricante onsemi Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14TSSOP
Pacchetto / caso 14-TSSOP quantità disponibile 2674 pcs
Tensione di alimentazione - 4.15V ~ 6V Contenitore dispositivo fornitore 14-TSSOP
Serie - Tempo di salita / scadenza (Typ) 20ns, 20ns
Contenitore / involucro 14-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) Pacchetto Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) Frequenza di ingresso 2
Tipo montaggio Surface Mount Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V
Tipo di ingresso Non-Inverting Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 30 V
Tipo di porta N-Channel MOSFET Configurazione guidata Half-Bridge
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) - Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous
Numero di prodotto di base ADP3410  
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Modello del Prodotto

ADP3410KRU-REEL7

Introduzione

driver di gate a ponte medio ad alte prestazioni per applicazioni di gestione dell'energia

Marca e Produttore

onsemi

Caratteristiche

Tipo di canale sincrono progettato per MOSFET a canale N; configurazione a doppio driver ben adatta per topologie di potenza a ponte medio

Prestazioni del Prodotto

Tempi di salita e discesa rapidi di circa 20ns per uno switching efficiente; supporta una tensione sul lato alto fino a 30V per configurazioni bootstrap

Specifiche Tecniche

Livelli di tensione logica VIL 0.8V e VIH 2V; intervallo di tensione di alimentazione da 4.15V a 6V

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto Surface Mount 14-TSSOP, larghezza 4.40mm

Qualità e Affidabilità

Ampio intervallo di temperatura di funzionamento, da 0°C a 125°C

Vantaggi del Prodotto

Progettato per una gestione dell'energia precisa ed efficiente

Competitività del Prodotto

Lo stato obsoleto potrebbe influire sulla competitività nei mercati attuali

Compatibilità

Ottimizzato per l'uso con MOSFET a canale N in applicazioni di switching di potenza

Certificazione e Conformità ai Standard

Conformità agli standard del produttore per i driver di gate di potenza

Durata e Sostenibilità

Caratterizzato dal ciclo di vita standard per componenti semiconductori

Campi di Applicazione Effettivi

Utilizzato in vari sistemi e circuiti di gestione dell'energia prima di diventare obsoleto

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