FDA28N50F
Modello di prodotti FDA28N50F
fabbricante onsemi
Descrizione MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.FDA28N50F.pdf2.FDA28N50F.pdf3.FDA28N50F.pdf4.FDA28N50F.pdf5.FDA28N50F.pdf6.FDA28N50F.pdf7.FDA28N50F.pdf8.FDA28N50F.pdf9.FDA28N50F.pdf
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Informazioni tecniche di FDA28N50F
codice articolo del costruttore FDA28N50F Categoria  
fabbricante onsemi Descrizione MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Pacchetto / caso TO-3PN quantità disponibile 9350 pcs
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN
Serie UniFET™ Rds On (max) a Id, Vgs 175mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto Tube temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5387 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Numero di prodotto di base FDA28 FDA28N50F Dettagli PDF [English] FDA28N50F PDF - EN.pdf
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Modello del Prodotto

FDA28N50F

Introduzione

MOSFET N-Channel 500V 28A progettato per applicazioni di gestione dell'energia ad alta efficienza.

Marca e Produttore

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Caratteristiche

Alta capacità di tensione fino a 500V, corrente continua di drenaggio di 28A a 25°C, bassa Rds(on) di 175 mOhm per massimizzare l'efficienza, elevato disippamento di potenza di 310W, montaggio attraverso il foro per installazione facile.

Prestazioni del Prodotto

Funziona efficacemente all'interno di un intervallo di temperatura da -55°C a 150°C, supporta una carica di gate di 105nC a 10V, capacità di ingresso di 5387pF a 25V, tensione di pilotaggio di 10V per un'ottimale Rds On.

Specifiche Tecniche

Tipo FET: N-Channel, Tensione Drain-Source (Vdss): 500V, Corrente - Drenaggio continuo (Id) @ 25°C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V, Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC, Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5387pF, Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On): 10V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN, Imballaggio: Tubo.

Qualità e Affidabilità

Senza piombo e conforme alla normativa RoHS, Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (Illimitato).

Vantaggi del Prodotto

Elevate capacità di tensione e corrente adatte per applicazioni esigenti, bassa resistenza di accensione aiuta a ridurre le perdite di potenza.

Competitività del Prodotto

Tempi di consegna competitivi di 6 settimane, parte della serie UniFET nota per affidabilità e prestazioni.

Compatibilità

Compatibile con le procedure di montaggio standard attraverso il foro.

Certificazione e Conformità ai Standard

Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / Conforme RoHS.

Durata e Sostenibilità

Costruzione durevole adatta per applicazioni industriali con un ampio intervallo di temperatura operativa.

Campi di Applicazione Effettivi

Unità di alimentazione, controlli motore, circuiti inverter, alimentatori a commutazione.

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