FDG6332C | |
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Modello di prodotti | FDG6332C |
fabbricante | onsemi |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
quantità disponibile | 11000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.FDG6332C.pdf2.FDG6332C.pdf3.FDG6332C.pdf4.FDG6332C.pdf5.FDG6332C.pdf6.FDG6332C.pdf7.FDG6332C.pdf8.FDG6332C.pdf |
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FDG6332C Price |
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Informazioni tecniche di FDG6332C | |||
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codice articolo del costruttore | FDG6332C | Categoria | |
fabbricante | onsemi | Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
Pacchetto / caso | SC-88 (SC-70-6) | quantità disponibile | 11000 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 1.5V @ 250µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | SC-88 (SC-70-6) | Serie | PowerTrench® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 300mOhm @ 700mA, 4.5V | Potenza - Max | 300mW |
Contenitore / involucro | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 113pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 700mA, 600mA | Configurazione | N and P-Channel |
Numero di prodotto di base | FDG6332 | FDG6332C Dettagli PDF [English] | FDG6332C PDF - EN.pdf |
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FDG6332C
Array Mosfet N e P-Channel 20V 700mA, 600mA
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
N e P-Channel, Gate a livello logico, Tecnologia a montaggio superficiale, Senza piombo, Conforme a RoHS
Tensione Drain a Source: 20V, Corrente Drain Continua: 700mA (N-Channel), 600mA (P-Channel), Rds On (Max): 300 mOhm a 700mA, 4.5V, Carica del Gate (Qg) (Max): 1.5nC a 4.5V, Capacità di ingresso (Ciss) (Max): 113pF a 10V
Potenza - Max: 300mW, Tensione - Uscita: PowerTrench, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V a 250µA
6-TSSOP, pacchetto SC-88, SOT-363; Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70-6; Imballaggio: Nastro e Bobina (TR)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (Illimitato)
Alta efficienza con tecnologia PowerTrench, Bassa resistenza ON, Alte prestazioni termiche
Prezzo competitivo con robuste metriche di prestazione nella sua categoria
Compatibile con applicazioni a livello logico
Senza piombo, Conforme a RoHS
Design durevole progettato per un uso prolungato in ambienti vari
Utilizzato nella gestione dell'energia, commutazione e amplificazione in diversi settori tra cui elettronica di consumo, automotive e sistemi industriali
Azione FDG6332C | Prezzo FDG6332C | Elettronica FDG6332C | |||
Componenti FDG6332C | Inventario FDG6332C | FDG6332C Digikey | |||
Fornitore FDG6332C | Ordina FDG6332C online | Inchiesta FDG6332C | |||
Immagine FDG6332C | Immagine FDG6332C | FDG6332C PDF | |||
Datasheet FDG6332C | Scarica la scheda tecnica FDG6332C | Produttore |
Parti correlate per FDG6332C | |||||
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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FDG6324L MCU | FAIRCHILD SOT-363 | FAIRCHILD | ||
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FDG6324 | FAIRCHILD | |||
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FDG6332C-F085P | DUAL NP MOS SC70-6 20V | onsemi | ||
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FDG6324L | BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL | Fairchild Semiconductor | ||
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FDG6331L IC | ON SOT363 | ON | ||
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FDG6332C_NL | FDG6332C_NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDG6331L-NL | FDG6331L-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDG6332C-F085 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | onsemi | ||
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FDG6332C IC | ON SC70-6 | ON | ||
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FDG6323L_NL | SOT363 10+ | |||
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FDG6335N MOS | FAIRCHILD SOT-363 | FAIRCHILD | ||
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FDG6332C-PG | MOSFET N P-CH 20V SC70-6 | onsemi | ||
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FDG6332C MOS | ON SC70-6 | ON | ||
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FDG6324L-NL | FDG6324L-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDG6332C_F085 | FDG6332C_F085 N/A | N/A | ||
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FDG6331L | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 | onsemi | ||
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FDG6323L_D87Z | IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88 | onsemi | ||
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