| FDN352AP | |
|---|---|
| Modello di prodotti | FDN352AP |
| fabbricante | onsemi |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 |
| quantità disponibile | 11200 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.FDN352AP.pdf2.FDN352AP.pdf3.FDN352AP.pdf4.FDN352AP.pdf5.FDN352AP.pdf6.FDN352AP.pdf7.FDN352AP.pdf8.FDN352AP.pdf |
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| FDN352AP Price |
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| Informazioni tecniche di FDN352AP | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | FDN352AP | Categoria | |
| fabbricante | onsemi | Descrizione | MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 |
| Pacchetto / caso | SOT-23-3 | quantità disponibile | 11200 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
| Serie | PowerTrench® | Rds On (max) a Id, Vgs | 180mOhm @ 1.3A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 15 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9 nC @ 4.5 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
| Numero di prodotto di base | FDN352 | FDN352AP Dettagli PDF [English] | FDN352AP PDF - EN.pdf |
| Scaricare | FDN352AP Dettagli PDF | ||
Modello del Prodotto
FDN352AP
Introduzione
MOSFET P-Channel per applicazioni di commutazione di potenza
Marca e Produttore
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Caratteristiche
Tecnologia PowerTrench per bassa resistenza in conduzione; P-Channel per commutazione ad alta tensione; Pacchetto SuperSOT-3 compatto per montaggio superficiale.
Prestazioni del Prodotto
Dissipazione di potenza efficiente di 500mW; Corrente continua di scarico fino a 1.3A; Ampio intervallo di temperatura operativa da -55°C a 150°C.
Specifiche Tecniche
Tensione Drain-to-Source di 30V; 180 mOhm Rds On a 1.3A e 10V; Bassa carica di gate di 1.9nC; Alta capacità di ingresso di 150pF.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Pacchetto dispositivo SuperSOT-3; Imballaggio Digi-Reel.
Qualità e Affidabilità
Senza piombo e conforme ROHS; Livello di sensibilità all'umidità 1.
Vantaggi del Prodotto
Ottimizzato per una commutazione rapida; Bassa tensione di soglia di 2.5V.
Competitività del Prodotto
Progettato per applicazioni di gestione della batteria e commutazione di carico; Realizzato per perdite di conduzione minime.
Compatibilità
Compatibile con sorgenti di pilotaggio a livello logico.
Certificazione e Conformità ai Standard
Rispetta gli standard ambientali senza piombo e ROHS.
Durata e Sostenibilità
Progettato per una lunga affidabilità; Adatto per applicazioni a lungo ciclo di vita.
Campi di Applicazione Effettivi
Gestione dell'energia in dispositivi portatili; Convertitori DC/DC; Commutazione di carico; Sistemi alimentati a batteria.
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ FDN352AP online.
| Azione FDN352AP | Prezzo FDN352AP | Elettronica FDN352AP | |||
| Componenti FDN352AP | Inventario FDN352AP | FDN352AP Digikey | |||
| Fornitore FDN352AP | Ordina FDN352AP online | Inchiesta FDN352AP | |||
| Immagine FDN352AP | Immagine FDN352AP | FDN352AP PDF | |||
| Datasheet FDN352AP | Scarica la scheda tecnica FDN352AP | Produttore | |||
| Parti correlate per FDN352AP | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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FDN355N | FDN355N FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDN352 IC | SOT-23 | |||
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FDN355A-NL | FDN355A-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDN342P-NL | FDN342P-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FDN342P MOS | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
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FDN355N MOS | ON SOT-23 | ON | ||
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FDN352AP | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | Fairchild Semiconductor | ||
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FDN352 | ||||
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FDN352AP MOS | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
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FDN342P-NL IC | FAIRCHILD SOT-23 | FAIRCHILD | ||
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FDN342P | MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3 | onsemi | ||
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