| FQA10N80C | |
|---|---|
| Modello di prodotti | FQA10N80C |
| fabbricante | onsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P |
| quantità disponibile | 2816 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.FQA10N80C.pdf2.FQA10N80C.pdf3.FQA10N80C.pdf |
| Scaricare | FQA10N80C Dettagli PDF |
| FQA10N80C Price |
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| Informazioni tecniche di FQA10N80C | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | FQA10N80C | Categoria | |
| fabbricante | onsemi | Descrizione | MOSFET N-CH 800V 10A TO3P |
| Pacchetto / caso | TO-3P | quantità disponibile | 2816 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P |
| Serie | QFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 1.1Ohm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto | Tube | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2800 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 800 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | FQA1 | FQA10N80C Dettagli PDF [English] | FQA10N80C PDF - EN.pdf |
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| Azione FQA10N80C | Prezzo FQA10N80C | Elettronica FQA10N80C | |||
| Componenti FQA10N80C | Inventario FQA10N80C | FQA10N80C Digikey | |||
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| Immagine FQA10N80C | Immagine FQA10N80C | FQA10N80C PDF | |||
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