Modello del Prodotto

FQA40N25

Introduzione

MOSFET N-Channel per applicazioni di commutazione ad alta efficienza

Marca e Produttore

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Caratteristiche

Tecnologia MOSFET N-Channel. Alta tensione da collettore a sorgente di 250V. Corrente continua di drenaggio di 40A a 25°C. Basso Rds (on) di 70 mOhm a 20A e 10V.

Prestazioni del Prodotto

Massima dissipazione di potenza di 280W. Intervallo di temperature operative da -55°C a 150°C. Massima tensione di soglia del gate di 5V a 250µA. Alta carica del gate di 110nC a 10V.

Specifiche Tecniche

Tensione Drenaggio a Sorgente (Vdss): 250V. Corrente Drenaggio Continua (Id) @ 25°C: 40A. Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 20A, 10V. Carica del Gate (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Tipo di montaggio a foro passante. Imballaggio TO-3P-3, SC-65-3. Imballato in tubi.

Qualità e Affidabilità

Senza piombo e conforme RoHS. Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL) 1 (Illimitato).

Vantaggi del Prodotto

Capacità di gestione della potenza efficienti. Robustezza nella gestione termica.

Competitività del Prodotto

Gestione di alta tensione e corrente in un pacchetto standard TO-3PN.

Compatibilità

Compatibile con tensioni di pilotaggio MOSFET standard (10V).

Certificazione e Conformità ai Standard

Stato Senza Piombo. Conformità RoHS.

Durata e Sostenibilità

Design durevole adatto per ambienti impegnativi.

Campi di Applicazione Effettivi

Adatto per unità di alimentazione. Utilizzato in sistemi di controllo motore. Applicabile in applicazioni di commutazione ad alta potenza.

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