| FQB47P06TM-AM002 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | FQB47P06TM-AM002 |
| fabbricante | onsemi |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK |
| quantità disponibile | 5000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.FQB47P06TM-AM002.pdf2.FQB47P06TM-AM002.pdf3.FQB47P06TM-AM002.pdf4.FQB47P06TM-AM002.pdf5.FQB47P06TM-AM002.pdf6.FQB47P06TM-AM002.pdf7.FQB47P06TM-AM002.pdf8.FQB47P06TM-AM002.pdf |
| FQB47P06TM-AM002 Price |
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| Informazioni tecniche di FQB47P06TM-AM002 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | FQB47P06TM-AM002 | Categoria | |
| fabbricante | onsemi | Descrizione | MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK |
| Pacchetto / caso | D²PAK (TO-263) | quantità disponibile | 5000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
| Serie | QFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 26mOhm @ 23.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 47A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | FQB47P06 | ||
| Scaricare | FQB47P06TM-AM002 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
FQB47P06TM-AM002
Introduzione
MOSFET P-Channel 60V 47A
Marca e Produttore
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Caratteristiche
FET a semicondutore metallico; P-Channel per elevate velocità di commutazione; Montaggio superficiale DPAK (TO-263AB); Conforme RoHS per gli standard ambientali.
Prestazioni del Prodotto
Gamma di temperatura operativa -55°C ~ 175°C; Tensione di drain a source (Vdss) di 60V; Corrente - Drain continua (Id) a 47A a 25°C; Rds On 26 mOhm a 23.5A, 10V; Carica del gate (Qg) 110nC a 10V; Capacitanza di ingresso (Ciss) 3600pF a 25V.
Specifiche Tecniche
Dissipazione di potenza 3.75W (Ta), 160W (Tc); Tensione di pilotaggio 10V; Tensione Gate-Source (Vgs) ±25V; Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato).
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Pacchetto DPAK (TO-263AB); Imballaggio a nastro e bobina per assemblaggio automatico.
Qualità e Affidabilità
Senza piombo / Conforme RoHS; La gamma di temperatura operativa garantisce stabilità in vari ambienti.
Vantaggi del Prodotto
Elevata capacità di corrente di drain continua; Bassa resistenza on per una maggiore efficienza; Progettato per la tecnologia di montaggio superficiale.
Competitività del Prodotto
Adatto per applicazioni di potenza ad alta densità; Prezzo competitivo e disponibilità da ON Semiconductor.
Compatibilità
Adatto per utilizzo in applicazioni di commutazione; Compatibile con processi SMT automatizzati.
Certificazione e Conformità ai Standard
Conforme RoHS; Stato senza piombo.
Durata e Sostenibilità
Progettato per una lunga affidabilità; Prestazioni termiche migliorate per la sostenibilità.
Campi di Applicazione Effettivi
Gestione dell'energia; Convertitori DC/DC; Azionamenti di motori; Sistemi di gestione delle batterie; Regolatori di commutazione.
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| Azione FQB47P06TM-AM002 | Prezzo FQB47P06TM-AM002 | Elettronica FQB47P06TM-AM002 | |||
| Componenti FQB47P06TM-AM002 | Inventario FQB47P06TM-AM002 | FQB47P06TM-AM002 Digikey | |||
| Fornitore FQB47P06TM-AM002 | Ordina FQB47P06TM-AM002 online | Inchiesta FQB47P06TM-AM002 | |||
| Immagine FQB47P06TM-AM002 | Immagine FQB47P06TM-AM002 | FQB47P06TM-AM002 PDF | |||
| Datasheet FQB47P06TM-AM002 | Scarica la scheda tecnica FQB47P06TM-AM002 | Produttore | |||
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