| FQT3P20TF | |
|---|---|
| Modello di prodotti | FQT3P20TF |
| fabbricante | onsemi |
| Descrizione | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 |
| quantità disponibile | 12439 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.FQT3P20TF.pdf2.FQT3P20TF.pdf3.FQT3P20TF.pdf4.FQT3P20TF.pdf5.FQT3P20TF.pdf6.FQT3P20TF.pdf7.FQT3P20TF.pdf |
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| FQT3P20TF Price |
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| Informazioni tecniche di FQT3P20TF | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | FQT3P20TF | Categoria | |
| fabbricante | onsemi | Descrizione | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4 |
| Pacchetto / caso | SOT-223-4 | quantità disponibile | 12439 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
| Serie | QFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 2.7Ohm @ 335mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 200 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 670mA (Tc) |
| Numero di prodotto di base | FQT3P20 | FQT3P20TF Dettagli PDF [English] | FQT3P20TF PDF - EN.pdf |
| Scaricare | FQT3P20TF Dettagli PDF | ||
Modello del Prodotto
FQT3P20TF
Introduzione
MOSFET P-Channel progettato per applicazioni di commutazione di potenza
Marca e Produttore
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Caratteristiche
P-Channel, 200V, 670mA, Montaggio Superficiale, pacchetto SOT-223-4
Prestazioni del Prodotto
Tensione massima Drain to Source: 200V; Corrente continua di Drain: 670mA a 25°C; Rds On massimo: 2.7 Ohm a 335mA, 10V; Dissipazione di potenza: 2.5W a 25°C; Intervallo di temperatura operativa: -55°C a 150°C
Specifiche Tecniche
Tensione di soglia del Gate: 5V a 250µA; Carica del Gate: 8nC a 10V; Capacitanza all'ingresso: 250pF a 25V; Tensione di Pilotaggio: 10V; Tensione massima del Gate: ±30V
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Pacchetto TO-261-4, TO-261AA; Imballato in Cut Tape (CT)
Qualità e Affidabilità
Privo di piombo, conforme alla direttiva RoHS; Livello di sensibilità all'umidità: 1 (Illimitato)
Vantaggi del Prodotto
Elevata capacità di tensione; Prestazioni termiche migliorate; Bassa resistenza ON
Competitività del Prodotto
Prezzi competitivi e prestazioni per applicazioni di gestione dell'energia
Compatibilità
Compatibile con processi di montaggio superficiale standard
Certificazione e Conformità ai Standard
Privo di piombo, conforme alla direttiva RoHS
Durata e Sostenibilità
Costruzione durevole adatta per applicazioni industriali
Campi di Applicazione Effettivi
Gestione dell'energia in elettronica di consumo e industriale
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| Azione FQT3P20TF | Prezzo FQT3P20TF | Elettronica FQT3P20TF | |||
| Componenti FQT3P20TF | Inventario FQT3P20TF | FQT3P20TF Digikey | |||
| Fornitore FQT3P20TF | Ordina FQT3P20TF online | Inchiesta FQT3P20TF | |||
| Immagine FQT3P20TF | Immagine FQT3P20TF | FQT3P20TF PDF | |||
| Datasheet FQT3P20TF | Scarica la scheda tecnica FQT3P20TF | Produttore | |||
| Parti correlate per FQT3P20TF | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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FQT3P20 | FQT3P20 FSC | FSC | ||
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FQT1N80 | FQT1N80 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FQT3P20TF-NL | FQT3P20TF-NL FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FQT2P25 | FQT2P25 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FQT1N80TF | FQT1N80TF Original | Original | ||
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FQT4N20LTF IC | FAIRCHILD SOT223 | FAIRCHILD | ||
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FQT3P20 MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
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FQT4N20LTF | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0 | Fairchild Semiconductor | ||
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FQT3P20TF-SB82100 | MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
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FQT4N20LTF MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
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FQT1N80 MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
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FQT4N20LTF | MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4 | onsemi | ||
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FQT2P25TF | MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4 | onsemi | ||
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FQT1N80TF_WS | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 | N/A | ||
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FQT3P20TF MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
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FQT4N20 | FQT4N20 FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FQT4N20L | FQT4N20L FAIRCHILD | FAIRCHILD | ||
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FQT2P25 MOS | FAIRCHILD SOT-223 | FAIRCHILD | ||
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FQT1N80TF-WS | MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3 | onsemi | ||
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FQT3P20TF_SB82100 | 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE | Fairchild Semiconductor | ||
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