| NVGS5120PT1G | |
|---|---|
| Modello di prodotti | NVGS5120PT1G |
| fabbricante | onsemi |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| quantità disponibile | 70000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.NVGS5120PT1G.pdf2.NVGS5120PT1G.pdf3.NVGS5120PT1G.pdf4.NVGS5120PT1G.pdf |
| Scaricare | NVGS5120PT1G Dettagli PDF |
| NVGS5120PT1G Price |
Richiedi prezzo e tempi di consegna online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Informazioni tecniche di NVGS5120PT1G | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | NVGS5120PT1G | Categoria | |
| fabbricante | onsemi | Descrizione | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP |
| Pacchetto / caso | 6-TSOP | quantità disponibile | 70000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | Rds On (max) a Id, Vgs | 111mOhm @ 2.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 600mW (Ta) | Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 942 pF @ 30 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.1 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Numero di prodotto di base | NVGS5120 | NVGS5120PT1G Dettagli PDF [English] | NVGS5120PT1G PDF - EN.pdf |
| Scaricare | NVGS5120PT1G Dettagli PDF | ||
Modello del Prodotto
NVGS5120PT1G
Introduzione
MOSFET a canale P che offre una gestione efficiente dell'energia
Marca e Produttore
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Caratteristiche
Tecnologia MOSFET, tipo a canale P, dissipazione dell'energia efficiente, adatto per commutazione ad alta velocità, dispositivo montabile su superficie, conforme RoHS
Prestazioni del Prodotto
Funziona a temperature comprese tra -55°C e 150°C, supporta continuamente una corrente di drenaggio di 1.8A a temperatura ambiente di 25°C, offre una bassa Rds(on) di 111 mOhm a 2.9A e 10V
Specifiche Tecniche
Tensione Drain to Source (Vdss) 60V, Tensione di soglia Gate Source (Vgs(th)) fino a 3V, Carica del gate (Qg) 18.1nC a 10V, Capacitance di ingresso (Ciss) 942pF a 30V, Tensione di pilotaggio 4.5V (Rds On minimo), 10V (Rds On massimo)
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Involucro SOT-23-6, confezione 6-TSOP, imballaggio Cut Tape (CT)
Qualità e Affidabilità
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1
Vantaggi del Prodotto
Alta efficienza e bassa resistenza on per il risparmio energetico, fattore di forma compatto per applicazioni con spazio limitato
Competitività del Prodotto
Ampio intervallo di temperature per varie condizioni ambientali, alta tensione di drenaggio e supporto di corrente continua
Compatibilità
Compatibile con la tecnologia montabile su superficie
Certificazione e Conformità ai Standard
Privo di piombo, conforme RoHS
Durata e Sostenibilità
Duraturo con un ampio intervallo di temperatura operativa
Campi di Applicazione Effettivi
Gestione dell'energia per un'ampia gamma di applicazioni elettroniche, adatto per elettronica di consumo, automotive e uso industriale
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ NVGS5120PT1G online.
| Azione NVGS5120PT1G | Prezzo NVGS5120PT1G | Elettronica NVGS5120PT1G | |||
| Componenti NVGS5120PT1G | Inventario NVGS5120PT1G | NVGS5120PT1G Digikey | |||
| Fornitore NVGS5120PT1G | Ordina NVGS5120PT1G online | Inchiesta NVGS5120PT1G | |||
| Immagine NVGS5120PT1G | Immagine NVGS5120PT1G | NVGS5120PT1G PDF | |||
| Datasheet NVGS5120PT1G | Scarica la scheda tecnica NVGS5120PT1G | Produttore | |||
| Parti correlate per NVGS5120PT1G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
 |
NVGS4111PT1G | MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP | onsemi | ||
 |
ISE0315A-H | DC DC CONVERTER 15V 1W | N/A | ||
 |
RT1206CRD07665KL | RES SMD 665K OHM 0.25% 1/4W 1206 | YAGEO | ||
 |
NVGS3443T1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
|
NVG800A75L4DSB2 | MODULE | onsemi | ||
|
NVGS4141NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP | onsemi | ||
 |
NVG800A75L4DSC-Z008 | DUAL SIDE COOLING POWER MODULE | onsemi | ||
|
NVGS3136PT1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
|
NVGS3130NT1G | MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP | onsemi | ||
|
NVGS3130N | NVGS3130N ON | ON | ||
 |
OSTOQ041551 | TERM BLOCK HDR 4POS 90DEG 3.5MM | On Shore Technology Inc. | ||
|
NVGS3136PT1G | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | onsemi | ||
|
NVGS5120PT1G MOS | ON SOT-163 | ON | ||
|
NVGS3443T1G | SINGLE P-CHANNEL POWER MOSFET -2 | onsemi | ||
|
NVGS3441T1G MOS | ON SOT23-6 | ON | ||
 |
ABS06L-32.768KHZ-9-T | CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD | Abracon LLC | ||
|
NVGS3441T1G | MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP | onsemi | ||
|
NVG800A75L4DSC | IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 | onsemi | ||
|
NVG800A75L4DSC2 | IC PWR MOD 750V 800A AHPM15 | onsemi | ||
|
NVGS4111PT1G MOS | ON SOT163 | ON | ||
Notizie
Di Più
Il PolarFire® SOC FPGA di Microchip ha ricevuto la certificazione AEC -Q100, confermando la sua affidabilità in condizioni automobilistiche dure, in...
PSOCTM 4000T è il primo prodotto di Infineon a presentare la tecnologia Capsense ™ di quinta generazione dell'azienda e funzionalità multi-sense.Qu...
Un dirigente dei fornitori di parti auto ha rivelato che lo sviluppo di EV nel mercato nordamericano si è bloccato mentre i case automobilistici scel...
Infineon e Eatron stanno espandendo la collaborazione del sistema di gestione delle batterie (BMS) nell'elettronica industriale e di consumo.Sulla bas...
Su Semiconductor ha recentemente annunciato il lancio del suo primo sensore di tempo di volo indiretto in tempo reale (ITOF), la serie ID Hyperlux, ch...
Nuovi Prodotti
Di Più
Sensore fotoelettrico serie PD30 I sensori fotoelettrici in miniatura di Carlo Gavazzi sono ad alte ...
Kit di valutazione XC112 / XR112 per il radar coerente pulsato A111Kit di valutazione XC112 e XR112 di Acconeer con cavi flessibili piatti e supporto ...
Servoazionamenti e motori MINAS serie A6 La famiglia Panasonic MINAS A6 assicura un funzionamento st...
Scheda driver LED UV Scheda driver UV LED di RayVio per emettitori UV-C serie XE e XP1 La scheda d...
SDRAM DDR per test industriali ed estesi I dispositivi DDR SDRAM di Insignis garantiscono il funzion...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966INSERISCI: Rm 2703 27F Ho King Comm Centre 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Avviso sul copyright © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.Tutti i diritti riservati.