QM30TB-2H
Modello di prodotti QM30TB-2H
fabbricante Mitsubishi
Descrizione IGBT Modules
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Informazioni tecniche di QM30TB-2H
codice articolo del costruttore QM30TB-2H Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Mitsubishi Electric Semiconductor Descrizione IGBT Modules
Pacchetto / caso quantità disponibile 2872 pcs
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Modello del Prodotto

QM30TB-2H

Introduzione

Modulo IGBT progettato per applicazioni ad alta efficienza

Marca e Produttore

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caratteristiche

Capacità di commutazione ad alta velocità

Basse perdite di potenza

Diodo di recupero veloce integrato

Prestazioni del Prodotto

Ottimizzato per operazioni ad alta frequenza

Eccellente prestazione termica

Robusto contro stress elettrici e termici

Specifiche Tecniche

Tensione Collettore-Emettitore: 600V

Corrente continua del collettore: 30A

Tensione Gate-Emettitore: ±20V

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Imballaggio standard del modulo

Dimensioni compatte per una facile integrazione

Peso e dimensioni specifiche disponibili su richiesta

Qualità e Affidabilità

Alta durevolezza e stabilità in diverse condizioni ambientali

Testato a fondo per affidabilità a lungo termine

Vantaggi del Prodotto

Riduce le perdite di potenza del sistema

Aumenta l'efficienza del sistema

Competitività del Prodotto

Prestazioni superiori nella sua categoria

Prezzo competitivo nel mercato dei moduli IGBT

Compatibilità

Compatibile con driver di porta standard

Flessibile per utilizzo in varie applicazioni elettroniche

Certificazione e Conformità ai Standard

Conformità agli standard e regolamenti elettronici globali

Durata e Sostenibilità

Progettato per una lunga durata operativa

Componenti ecologicamente sostenibili utilizzati

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di energia rinnovabile

Azionamenti per motori

Sistemi di gestione dell'energia

Applicazioni automobilistiche

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