Modello del Prodotto

RJP4006AG

Introduzione

Silicon N Channel IGBT per commutazione di potenza ad alta velocità

Marca e Produttore

Renesas Technology Corp

Caratteristiche

Tecnologia IGBT, commutazione ad alta velocità, bassa caduta di tensione, alta impedenza di ingresso.

Prestazioni del Prodotto

Gestione dell'energia efficiente, robusta performance termica, lunga vita operativa, alta capacità di corrente.

Specifiche Tecniche

Tensione Collettore-Emettitore: 600V, Corrente Collettore Continua: 150A, Tensione Gate-Emettitore: ±20V, Dissipazione Collettore: 150W.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Involucro TO-3P, confezione standard a tubo, forma solida per un facile montaggio.

Qualità e Affidabilità

Testato per resistenza e performance, conformità agli standard di qualità del settore.

Vantaggi del Prodotto

Design energeticamente efficiente, basse perdite di conduzione, ottimizzato per circuiti di commutazione ad alta velocità.

Competitività del Prodotto

Competitivo nei prezzi per la tecnologia IGBT, ampiamente accettato nel mercato.

Compatibilità

Compatibile con vari circuiti di guida, adatto per applicazioni PWM.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme agli standard JEDEC, conforme RoHS.

Durata e Sostenibilità

Progettato per una lunga durata di servizio, utilizzo di materiali ecologici.

Campi di Applicazione Effettivi

Alimentatori switching, controlli motore, inverter, riscaldamento a induzione.

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