SI6923DQ-T1 | |
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Modello di prodotti | SI6923DQ-T1 |
fabbricante | VISHAY/SIL |
Descrizione | SI6923DQ-T1 VISHAY/SIL |
quantità disponibile | 81425 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | SI6923DQ-T1.pdf |
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SI6923DQ-T1 Price |
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Informazioni tecniche di SI6923DQ-T1 | |||
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codice articolo del costruttore | SI6923DQ-T1 | Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
fabbricante | VISHAY/SIL | Descrizione | SI6923DQ-T1 VISHAY/SIL |
Pacchetto / caso | quantità disponibile | 81425 pcs | |
Pacchetto | TSSOP-8 | Condtion | New Original Stock |
Garanzia | 100% Perfect Functions | Tempi di consegna | 2-3days after payment. |
Pagamento | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union | Spedizione entro | DHL / Fedex / UPS |
Porta | HongKong | Email RFQ | |
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SI6923DQ-T1
Il SI6923DQ-T1 è un circuito integrato specializzato progettato e prodotto da Vishay Intertechnology.
VISHAY/Siliconix
IC di gestione della potenza MOSFET, dispositivo dual N e P-channel, tecnologia TrenchFET, bassa resistenza in conduzione, commutazione ad alta velocità.
Efficienza energetica migliorata, prestazioni termiche robuste, bassa carica del gate per una commutazione più rapida.
V_DS N-Channel: 30 V, V_DS P-Channel: -30 V, R_DS(ON) N-Channel: 0,0255 Ohm, R_DS(ON) P-Channel: 0,040 Ohm, Q_G Carica totale del gate N-Channel: 5,4 nC.
Piccolo pacchetto QFN, privo di piombo e conforme RoHS, dimensioni del pacchetto: 2,5 x 4,5 mm.
Alta affidabilità a temperature operative prolungate, test di resistenza per prestazioni a lungo termine.
Il design integrato a doppio canale riduce il numero di componenti, ingombro ridotto per design compatti.
Ottimizzato per la regolazione della potenza in applicazioni di computing e telecomunicazioni.
Compatibile con controllori e driver PWM standard, adatto per fonti di pilotaggio del gate a livello logico.
Conforme RoHS, saldabile senza piombo (Pb).
Lunga durata operativa progettata per applicazioni a lungo termine, design ecologico che minimizza il consumo energetico durante il ciclo di vita.
Utilizzato in applicazioni di computing, telecomunicazioni, sistemi di gestione della potenza, dispositivi mobili e portatili, circuiti di gestione della batteria.
Azione SI6923DQ-T1 | Prezzo SI6923DQ-T1 | Elettronica SI6923DQ-T1 | |||
Componenti SI6923DQ-T1 | Inventario SI6923DQ-T1 | SI6923DQ-T1 Digikey | |||
Fornitore SI6923DQ-T1 | Ordina SI6923DQ-T1 online | Inchiesta SI6923DQ-T1 | |||
Immagine SI6923DQ-T1 | Immagine SI6923DQ-T1 | SI6923DQ-T1 PDF | |||
Datasheet SI6923DQ-T1 | Scarica la scheda tecnica SI6923DQ-T1 | Produttore |
Parti correlate per SI6923DQ-T1 | |||||
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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SI6913DQ-T1-E3 MOS | VISHAY TSSOP-8 | VISHAY | ||
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SI6924EDQ | SI6924EDQ VB | VB | ||
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SI6913DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI6923DQ-T1. | SI6923DQ-T1. VIS | VIS | ||
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SI6924AEDQ-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI6923DQ | VISHAY | |||
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SI6924AEDQ | VISHAY 09+ | VISHAY | ||
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SI6913DQ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI6913DQ-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI6924AEDQ-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI6911DQ-T1-E3 | SI6911DQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI6924AEDQ | VISHAY | |||
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SI6924AEDQ-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI6913DQ-T1-BE3 | DUAL P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET | Vishay Siliconix | ||
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SI6923DQ-T1-E3 | SI6923DQ-T1-E3 VISHAY | VISHAY | ||
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SI6913DQ-T1-GE3 MOS | VISHAY MSOP-8 | VISHAY | ||
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SI6924AEDQ-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SI6913DQ | SI6913DQ VISHAY | VISHAY | ||
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SI6913DQ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP | Vishay Siliconix | ||
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SI6923DQ-TI | SI6923DQ-TI VISHAY | VISHAY |
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