| STD3NK50ZT4 | |
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| Modello di prodotti | STD3NK50ZT4 |
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK |
| quantità disponibile | 8000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | STD3NK50ZT4.pdf |
| Scaricare | STD3NK50ZT4 Dettagli PDF |
| STD3NK50ZT4 Price |
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| Informazioni tecniche di STD3NK50ZT4 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | STD3NK50ZT4 | Categoria | |
| fabbricante | STMicroelectronics | Descrizione | MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK |
| Pacchetto / caso | DPAK | quantità disponibile | 8000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 50µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | DPAK |
| Serie | SuperMESH™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 3.3Ohm @ 1.15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | STD3NK50 | STD3NK50ZT4 Dettagli PDF [English] | STD3NK50ZT4 PDF - EN.pdf |
| Scaricare | STD3NK50ZT4 Dettagli PDF | ||
Modello del Prodotto
STD3NK50ZT4
Introduzione
MOSFET ad Alta Tensione di Tipo N.
Marca e Produttore
STMicroelectronics.
Caratteristiche
Tecnologia a semiconduttore in ossido metallico, Tipo N-Channel, Alta tensione di Drain a Source - 500V, Bassa Resistenza On - 3.3 Ohm, Carica del Gate - 15nC, Capacitanza d'Ingresso - 280pF, Ampio intervallo di temperatura operativa.
Prestazioni del Prodotto
Corrente continua di Drain - 2.3A, Dissipazione di potenza - 45W, Tensione di soglia del gate - 4.5V, Tensione di pilotaggio - 10V, Tensione Gate-Source - ±30V.
Specifiche Tecniche
Tecnologia MOSFET (Metallo Ossido), Tipo di montaggio a superficie, Packaging DPAK, Privo di piombo / Conformità RoHS.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
TO-252-3, DPak (2 terminali + Tab), SC-63. Imballaggio in nastro e bobina (TR).
Qualità e Affidabilità
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1.
Vantaggi del Prodotto
Elevate capacità di tensione, Dissipazione di potenza efficiente.
Competitività del Prodotto
Serie SuperMESH con bassa resistenza On, progettato per una maggiore robustezza.
Compatibilità
Adatto per assemblaggi a montaggio superficiale.
Certificazione e Conformità ai Standard
Conformità RoHS.
Durata e Sostenibilità
Tolleranza alle alte temperature per una lunga durata.
Campi di Applicazione Effettivi
Adatto per applicazioni di commutazione, gestione dell'alimentazione, sistemi di conversione ad alta tensione.
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| Azione STD3NK50ZT4 | Prezzo STD3NK50ZT4 | Elettronica STD3NK50ZT4 | |||
| Componenti STD3NK50ZT4 | Inventario STD3NK50ZT4 | STD3NK50ZT4 Digikey | |||
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| Immagine STD3NK50ZT4 | Immagine STD3NK50ZT4 | STD3NK50ZT4 PDF | |||
| Datasheet STD3NK50ZT4 | Scarica la scheda tecnica STD3NK50ZT4 | Produttore | |||
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