Modello del Prodotto

STGD6NC60HDT4

Introduzione

Transistor IGBT ad alta tensione progettato per applicazioni di commutazione rapida.

Marca e Produttore

STMicroelectronics

Caratteristiche

Tecnologia di montaggio superficiale. Pacchetto TO-252-3, DPAK per una dissipazione di calore efficiente. Tecnologia PowerMESH per bassa resistenza in stato di conduzione. Capacità di commutazione rapida. Elevato rating di corrente del collettore.

Prestazioni del Prodotto

Intervallo di temperatura operativa da -55°C a 150°C. Tensione di rottura Collettore-Emettitore di 600V. Corrente del collettore (Ic Max) di 15A. Corrente pulsatale del collettore (Icm) di 21A. Energia di commutazione di 20J (on), 68J (off). Carica del gate di 13.6nC.

Specifiche Tecniche

Tempo di recupero inverso di 21ns. Vce(on) Max a 2.5V @ 15V, 3A. Potenza Max di 56W. Td (on/off) a 12ns/76ns in condizioni di prova di 390V, 3A, 10 Ohm, 15V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

DPAK (2 pin + Tab), SC-63. Imballato in nastro e bobina (TR) per assemblaggio automatizzato.

Qualità e Affidabilità

Livello di sensibilità all'umidità 1.

Vantaggi del Prodotto

Ottimizzato per alta efficienza e densità di potenza.

Competitività del Prodotto

Progettato per prestazioni economiche nella commutazione di potenza.

Compatibilità

Compatibile con i requisiti di montaggio superficiale.

Certificazione e Conformità ai Standard

Privo di piombo / Conforme RoHS.

Durata e Sostenibilità

Costruzione durevole destinata ad applicazioni di potenza impegnative.

Campi di Applicazione Effettivi

Adatto per una gamma di applicazioni di commutazione ad alta tensione, inclusi convertitori e inverter.

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