T1189N12TOF
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codice articolo del costruttore T1189N12TOF Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
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Modello del Prodotto

T1189N12TOF

Introduzione

Modulo di transistor bipolare a gate isolato (IGBT) ad alta potenza

Marca e Produttore

Modulo IGBT

Caratteristiche

Prestazioni termiche migliorate

Basso carico di gate

Commutazione ad alta velocità

Diode di libero passaggio integrato

Ottimizzato per l'efficienza energetica

Prestazioni del Prodotto

Elevata capacità di gestione della corrente

Basse perdite di conduzione

Caratteristiche di commutazione superiori

Migliorata affidabilità ad alte frequenze di commutazione

Specifiche Tecniche

Tensione Collettore-Emettitore: 1200 V

Corrente Collettore: 1800 A

Tensione Gate-Emettitore: ±20 V

Temperatura massima di giunzione: 150°C

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Dimensioni del modulo: 190 mm x 140 mm x 40 mm

Forma rettangolare

Imballato in contenitori antistatici

Qualità e Affidabilità

Test rigorosi per durata e prestazioni

Progettato per resistere a condizioni ambientali avverse

Lunga vita operativa con minima degradazione

Vantaggi del Prodotto

Alta efficienza e densità di potenza

Maggiore controllo sui parametri di commutazione

Riduzione delle perdite di potenza

Competitività del Prodotto

Prestazione superiore in applicazioni ad alta potenza

Prezzo competitivo nella sua categoria

Scelta preferita per sistemi di potenza industriali e commerciali

Compatibilità

Compatibile con driver di gate standard

Integrazione flessibile nei sistemi esistenti

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme alle normative RoHS e REACH

Certificato UL

Durata e Sostenibilità

Progettato per una lunga durata in condizioni operative rigide

Materiali e costruzione ecologici

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di energia rinnovabile

Azionamenti di motori e inverter

Sistemi di gestione dell'energia

Sistemi di potenza per veicoli elettrici

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