Modello del Prodotto

T318F12TSC

Introduzione

Modulo IGBT (Transistor Bipolare a Gate Isolato) progettato per applicazioni ad alta efficienza e controllo della potenza.

Marca e Produttore

Modulo IGBT

Caratteristiche

Alte frequenze di commutazione, basso consumo energetico, ottimizzazione delle prestazioni termiche, driver di gate integrati, maggiore robustezza.

Prestazioni del Prodotto

Caratteristiche di conduzione e commutazione efficienti, elevata capacità di gestione della corrente, bassa resistenza termica, rapidità nella commutazione, migliorata efficienza energetica.

Specifiche Tecniche

Tensione Collettore-Emettitore: 1200V; Corrente Collettore: 318A; Tensione Gate-Emettitore: +/- 20V; Dissipazione di Potenza: varia in base alle condizioni d'uso.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Modulo rettangolare, imballaggio standard del settore, dimensioni specifiche nel datasheet del prodotto.

Qualità e Affidabilità

Progettato per resistere a condizioni ambientali difficili, lunga vita operativa nelle condizioni specificate, conformità agli standard internazionali di affidabilità.

Vantaggi del Prodotto

Alta efficienza nella conversione energetica, riduzione della complessità del sistema, abbattimento dei costi complessivi del sistema.

Competitività del Prodotto

Competitivo nei mercati che richiedono alta densità di potenza ed efficienza, ampiamente utilizzato in applicazioni sia consumer che industriali.

Compatibilità

Compatibile con driver e sistemi IGBT standard, integrazione flessibile in vari design circuitali.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme agli standard internazionali per sicurezza e prestazioni, certificato da autorità competenti del settore dei semiconduttori.

Durata e Sostenibilità

Progettato per un'affidabilità a lungo termine, materiali e processi focalizzati sulla sostenibilità.

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di energia rinnovabile, trazioni per veicoli elettrici, azionamenti per motori industriali, sistemi di gestione dell'energia.

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