Modello del Prodotto

SI4925DY-T1-E3

Introduzione

MOSFET dual N-channel da 30 V (D-S)

Marca e Produttore

Vishay Siliconix

Caratteristiche

Bassa resistenza di accensione, bassa tensione di soglia del gate, alta velocità di commutazione, configurazione MOSFET dual N-channel.

Prestazioni del Prodotto

Conversione energetica efficiente, capacità di funzionamento ad alta frequenza.

Specifiche Tecniche

VDS (tensione drain-source) è 30V, ID (corrente continua di drain) è 6.5A, RDS(on) (resistenza on statica drain-source) è 45 mOhm, VGS(th) (tensione di soglia del gate) è 1.0V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto SO-8, lunghezza: 5mm, larghezza: 4mm, altezza: 1.5mm.

Qualità e Affidabilità

Alta stabilità termica, ciclo di vita esteso del prodotto.

Vantaggi del Prodotto

Risparmio energetico grazie alla bassa resistenza di accensione, design compatto per applicazioni che richiedono spazio.

Competitività del Prodotto

Alto capacità di corrente in un ingombro ridotto, soluzione economica per progetti di gestione dell'energia.

Compatibilità

Adatto per fonti di alimentazione a livello logico.

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme RoHS, senza piombo.

Durata e Sostenibilità

Progettato per la longevità nei circuiti elettronici.

Campi di Applicazione Effettivi

Sistemi di gestione dell'energia, convertitori DC/DC, gestione delle batterie, server informatici, attrezzature per telecomunicazioni.

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