AOD240
Modello di prodotti AOD240
fabbricante Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 40V 23A/70A TO252
quantità disponibile 10500 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di AOD240
codice articolo del costruttore AOD240 Categoria  
fabbricante Alpha and Omega Semiconductor, Inc. Descrizione MOSFET N-CH 40V 23A/70A TO252
Pacchetto / caso TO-252 (DPAK) quantità disponibile 10500 pcs
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-252 (DPAK)
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 150W (Tc) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 20 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Ta), 70A (Tc)
Numero di prodotto di base AOD24  
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Modello del Prodotto

AOD240

Introduzione

MOSFET N-Channel ad alte prestazioni per applicazioni di gestione dell'energia

Marca e Produttore

Alpha e Omega Semiconductor, Inc.

Caratteristiche

Tecnologia MOSFET N-Channel, ottimizzata per commutazione veloce, bassa Rds(on) per maggiore efficienza, alta capacità di corrente di drenaggio continua, adatta per operazioni ad alta temperatura, disponibile in imballaggio TO-252 (D-Pak)

Prestazioni del Prodotto

Sostiene un'alta tensione di drenaggio a sorgente di 40V, corrente di drenaggio continua di 23A a 25°C, elevata capacità di dissipazione di potenza fino a 150W alla temperatura dell'involucro (Tc), eccellenti prestazioni termiche con temperature operative da -55°C a 175°C

Specifiche Tecniche

Tipo di FET: N-Channel, Tensione di drenaggio a sorgente (Vdss): 40V, Corrente - Drenaggio continuo (Id) a 25°C: 23A, 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Tensione di soglia del gate (Vgs th) Max @ Id: 2.2V @ 250µA, Carica del gate (Qg) Max @ Vgs: 60nC @ 10V, Capacitanza di ingresso (Ciss) Max @ Vds: 4300pF @ 20V, Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Tensione del gate a sorgente (Vgs Max): ±20V

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Imballaggio / Caso: TO-252-3, DPak (2 terminali + tab), SC-63, Imballaggio del dispositivo del fornitore: TO-252, (D-Pak), Imballaggio del produttore: Tape & Reel (TR)

Qualità e Affidabilità

Privo di piombo / Conformità RoHS per standard ambientali, robusta gestione termica per maggiore affidabilità

Vantaggi del Prodotto

Dissipazione di potenza efficace per applicazioni ad alta potenza, elevate velocità di commutazione adatte per circuiti elettronici moderni, prestazioni elevate in un intervallo di temperature

Competitività del Prodotto

Prezzi e prestazioni competitivi nell'imballaggio standard TO-252, riduzione delle perdite di conduzione rispetto a MOSFET simili

Compatibilità

Compatibile con montaggio superficiale per assemblaggio semplificato delle PCB

Certificazione e Conformità ai Standard

Conforme alle normative RoHS per la restrizione delle sostanze pericolose

Durata e Sostenibilità

Costruzione durevole in grado di resistere a temperature estreme, funzionamento a basso consumo energetico contribuisce alla sostenibilità

Campi di Applicazione Effettivi

Unità di alimentazione, convertitori e inverter, sistemi di controllo motore, regolatori di commutazione, gestione dell'alimentazione nell'elettronica di consumo

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