CY62177EV30LL-55BAXI | |
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Modello di prodotti | CY62177EV30LL-55BAXI |
fabbricante | Infineon Technologies |
Descrizione | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
quantità disponibile | 2500 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf2.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf3.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf4.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf5.CY62177EV30LL-55BAXI.pdf |
CY62177EV30LL-55BAXI Price |
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Informazioni tecniche di CY62177EV30LL-55BAXI | |||
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codice articolo del costruttore | CY62177EV30LL-55BAXI | Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
fabbricante | Cypress Semiconductor | Descrizione | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
Pacchetto / caso | 48-FBGA (8x9.5) | quantità disponibile | 2500 pcs |
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | 55ns | Tensione di alimentazione - | 2.2V ~ 3.7V |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous | Contenitore dispositivo fornitore | 48-FBGA (8x9.5) |
Serie | MoBL® | Contenitore / involucro | 48-TFBGA |
Pacchetto | Tray | temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo montaggio | Surface Mount | Tipo di memoria | Volatile |
Dimensione della memoria | 32Mbit | Organizzazione di memoria | 4M x 8, 2M x 16 |
Interfaccia di memoria | Parallel | Formato di memoria | SRAM |
Numero di prodotto di base | CY62177 | Tempo di accesso | 55 ns |
Scaricare | CY62177EV30LL-55BAXI PDF - EN.pdf |
CY62177EV30LL-55BAXI
SRAM Asincrono ad Alte Prestazioni da 32Mbit
Infineon Technologies
Tempo di accesso veloce di 55ns, intervallo di tensione operativa basso (da 2.2V a 3.7V), disponibile in organizzazioni di memoria 4M x 8 e 2M x 16, supporta interfacce di memoria asincrone, serie MoBL® (More Battery Life™) per applicazioni a basso consumo.
Durabilità e resistenza migliorate per esigenze di memoria volatile, cicli di lettura e scrittura efficienti a 55ns per parola/pagina, ampia gamma di temperature operative da -40°C a 85°C.
Dimensione della memoria: 32Mbit, formato memoria: SRAM, tecnologia: SRAM asincrona, tempo di ciclo di scrittura: 55ns.
Pacchetto 48-TFBGA, dimensioni per FBGA: 8x9.5mm, consegnato in imballaggio a vassoio.
Progettato per prestazioni elevate e affidabilità in diverse condizioni, l'ampia gamma di temperature operative garantisce affidabilità in ambienti vari.
Accesso immediato ai dati senza latenza, design energeticamente efficiente per una maggiore durata della batteria, operazione a bassa tensione che consente compatibilità con design più recenti e a risparmio energetico.
Vantaggio competitivo nelle prestazioni della memoria ad alta velocità, bilanciamento tra velocità ed efficienza energetica per applicazioni diverse.
Ampia compatibilità con vari microprocessori e processori di segnali digitali.
Conforme agli standard di certificazione per i componenti di memoria elettronica.
Design durevole per un uso applicativo a lungo termine, supporta gli sforzi verso elettronica a basso consumo energetico.
Ideale per applicazioni che richiedono accesso alla memoria ad alta velocità come sistemi integrati, networking, telecomunicazioni e dispositivi informatici.
Azione CY62177EV30LL-55BAXI | Prezzo CY62177EV30LL-55BAXI | Elettronica CY62177EV30LL-55BAXI |
Componenti CY62177EV30LL-55BAXI | Inventario CY62177EV30LL-55BAXI | CY62177EV30LL-55BAXI Digikey |
Fornitore CY62177EV30LL-55BAXI | Ordina CY62177EV30LL-55BAXI online | Inchiesta CY62177EV30LL-55BAXI |
Immagine CY62177EV30LL-55BAXI | Immagine CY62177EV30LL-55BAXI | CY62177EV30LL-55BAXI PDF |
Datasheet CY62177EV30LL-55BAXI | Scarica la scheda tecnica CY62177EV30LL-55BAXI | Produttore Cypress Semiconductor |