Modello del Prodotto

S29GL512T11TFIV10

Introduzione

Chip di memoria FLASH ad alta densità

Marca e Produttore

Infineon Technologies

Caratteristiche

Tecnologia di memoria non volatile, ampia capacità di memoria per applicazioni avanzate, supporta operazioni ad alta velocità, interfaccia di memoria parallela per una gestione rapida dei dati

Prestazioni del Prodotto

Tempo di ciclo di scrittura veloce di 60ns, tempo di accesso rapido di 110ns

Specifiche Tecniche

Tecnologia FLASH - NOR per archiviazione affidabile, capacità di memoria di 512Mbit, organizzazione di 64M x 8 per un'organizzazione strutturata dei dati

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Imballato in un vassoio, pacchetto SMD 56-TFSOP, dimensioni: 0.724", larghezza 18.40mm

Qualità e Affidabilità

Funziona efficacemente in condizioni estreme da -40°C a 85°C, conformità agli standard di qualità del settore

Vantaggi del Prodotto

Adeguato per applicazioni di memoria ad alta densità, soluzione di archiviazione non volatile ottimale, prestazioni costanti a diverse temperature

Competitività del Prodotto

Si distingue per operazioni stabili e lunga durata, competitivo nel settore delle soluzioni di archiviazione su larga scala

Compatibilità

Interfaccia parallela adatta a un'ampia gamma di applicazioni industriali, conforme agli standard di progettazione dei sistemi comuni

Certificazione e Conformità ai Standard

Rispetta le certificazioni di conformità e standard di Infineon Technologies

Durata e Sostenibilità

Affidabilità a lungo termine che supporta i requisiti di resistenza FLASH e mantenimento dei dati

Campi di Applicazione Effettivi

Adatto per una varietà di applicazioni, comprese automotive, industriali, networking e sistemi di telecomunicazione

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