| DMC62D0SVQ-7 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | DMC62D0SVQ-7 |
| fabbricante | Diodes Incorporated |
| Descrizione | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R |
| quantità disponibile | 7000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.DMC62D0SVQ-7.pdf2.DMC62D0SVQ-7.pdf3.DMC62D0SVQ-7.pdf4.DMC62D0SVQ-7.pdf |
| DMC62D0SVQ-7 Price |
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| Informazioni tecniche di DMC62D0SVQ-7 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | DMC62D0SVQ-7 | Categoria | |
| fabbricante | Diodes Incorporated | Descrizione | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R |
| Pacchetto / caso | SOT-563 | quantità disponibile | 7000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SOT-563 | Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V | Potenza - Max | 510mW (Ta) |
| Contenitore / involucro | SOT-563, SOT-666 | Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V, 26pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 60V, 50V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 571mA (Ta), 304mA (Ta) | Configurazione | N and P-Channel Complementary |
| Numero di prodotto di base | DMC62 | ||
| Scaricare | DMC62D0SVQ-7 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
DMC62D0SVQ-7
Introduzione
Array di Mosfet Complementari N e P-Channel
Marca e Produttore
Diodes Incorporated
Caratteristiche
MOSFET complementari N e P-Channel
Caratteristiche standard MOSFET
Adatto per applicazioni automotive
Qualificato AEC-Q101
Prestazioni del Prodotto
Ossido del gate robusto
Basso Rds On per alta efficienza
Alte correnti di drain continue (571mA N-Channel, 304mA P-Channel)
Ampia gamma di temperatura operativa
Specifiche Tecniche
Tensione Drain a Source (Vdss): 60V N-Channel, 50V P-Channel
Rds On: 1.7 Ohm N-Channel, 6 Ohm P-Channel
Carica del gate (Qg): 0.4nC N-Channel, 0.3nC P-Channel
Capacitanza di ingresso (Ciss): 30pF N-Channel, 26pF P-Channel
Potenza: 510mW
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Pacchetto SOT-563, SOT-666
Montaggio superficiale
Fornito in Cut Tape (CT)
Qualità e Affidabilità
Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
Ampia gamma di temperatura operativa
Vantaggi del Prodotto
Doppio N e P-Channel in un unico pacchetto per un design compatto
Adatto per ambienti ad alta temperatura
Energeticamente efficiente
Competitività del Prodotto
Prezzi competitivi per componenti di grado automotive
Tempi di consegna più lunghi gestiti con un'efficace gestione delle scorte
Compatibilità
Montaggio superficiale compatibile con PCB standard
Certificazione e Conformità ai Standard
Senza piombo
Conforme RoHS
Standard AEC-Q101 per la qualità automotive
Durata e Sostenibilità
Prestazioni a lungo termine negli ambienti automotive
Campi di Applicazione Effettivi
Applicazioni automotive
Circuiti di gestione dell'energia
Sistemi di commutazione e amplificazione di uso generale
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| Azione DMC62D0SVQ-7 | Prezzo DMC62D0SVQ-7 | Elettronica DMC62D0SVQ-7 | |||
| Componenti DMC62D0SVQ-7 | Inventario DMC62D0SVQ-7 | DMC62D0SVQ-7 Digikey | |||
| Fornitore DMC62D0SVQ-7 | Ordina DMC62D0SVQ-7 online | Inchiesta DMC62D0SVQ-7 | |||
| Immagine DMC62D0SVQ-7 | Immagine DMC62D0SVQ-7 | DMC62D0SVQ-7 PDF | |||
| Datasheet DMC62D0SVQ-7 | Scarica la scheda tecnica DMC62D0SVQ-7 | Produttore Diodes Incorporated | |||
| Parti correlate per DMC62D0SVQ-7 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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DMC6070LND-13 | MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI | Diodes Incorporated | ||
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DMC60C31E-A | DMC60C31E-A DAEWOO | DAEWOO | ||
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DMC6040SSDQ | DMC6040SSDQ DIODES | DIODES | ||
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DMC62D0SVQ-13 | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R | Diodes Incorporated | ||
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DMC67D8UFDBQ-7 | MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- | Diodes Incorporated | ||
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DMC6070LND-7 | MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI | Diodes Incorporated | ||
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DMC62D2SV-7 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R | Diodes Incorporated | ||
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DMC60C31EK | DMC60C31EK DM | DM | ||
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DMC80C49-183A | DAEWOO | |||
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DMC6070LFDH-7 | MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8 | Diodes Incorporated | ||
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DMC60C31EK-A | DMC60C31EK-A DAEWOO | DAEWOO | ||
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DMC60C31E | NSC | |||
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DMC67D8UFDBQ-13 | MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- | Diodes Incorporated | ||
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DMC67D8UFDB-7 | MOSFET 41V~60V U-DFN2020-6 | Diodes Incorporated | ||
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DMC67D8UFDB-13 | MOSFET 41V~60V U-DFN2020-6 | Diodes Incorporated | ||
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DMC80C49-081A | DAEWOO DIP-40 | DAEWOO | ||
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DMC62D2SV-13 | MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R | Diodes Incorporated | ||
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DMC6040SSDQ-13 | MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO | Diodes Incorporated | ||
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