DMP6110SVT-13
Modello di prodotti DMP6110SVT-13
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di DMP6110SVT-13
codice articolo del costruttore DMP6110SVT-13 Categoria  
fabbricante Diodes Incorporated Descrizione MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Pacchetto / caso TSOT-23-6 quantità disponibile 2688 pcs
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TSOT-23-6
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 105mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta) Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 969 pF @ 30 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 10 V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.3A (Tc)
Numero di prodotto di base DMP6110  
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