DMP65H20D0HSS-13
Modello di prodotti DMP65H20D0HSS-13
fabbricante Diodes Incorporated
Descrizione MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
quantità disponibile Richiedi stock e preventivo
Modello ECAD
Schede tecniche 1.DMP65H20D0HSS-13.pdf2.DMP65H20D0HSS-13.pdf
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Informazioni tecniche di DMP65H20D0HSS-13
codice articolo del costruttore DMP65H20D0HSS-13 Categoria Prodotti a semiconduttore discreti
fabbricante Diodes Incorporated Descrizione MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Pacchetto / caso 8-SO quantità disponibile Available Stock
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 8-SO
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 20Ohm @ 200mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.9W (Ta) Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.7 nC @ 10 V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)
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