| SI7794DP-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SI7794DP-T1-GE3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK |
| quantità disponibile | 3011 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.SI7794DP-T1-GE3.pdf2.SI7794DP-T1-GE3.pdf |
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| Informazioni tecniche di SI7794DP-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SI7794DP-T1-GE3 | Categoria | |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® SO-8 | quantità disponibile | 3011 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | Rds On (max) a Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 5W (Ta), 48W (Tc) | Contenitore / involucro | PowerPAK® SO-8 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2520 pF @ 15 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 28.6A (Ta), 60A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | SI7794 | SI7794DP-T1-GE3 Dettagli PDF [English] | SI7794DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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