| SISA01DN-T1-GE3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SISA01DN-T1-GE3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
| quantità disponibile | 60000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.SISA01DN-T1-GE3.pdf2.SISA01DN-T1-GE3.pdf3.SISA01DN-T1-GE3.pdf |
| SISA01DN-T1-GE3 Price |
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| Informazioni tecniche di SISA01DN-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SISA01DN-T1-GE3 | Categoria | |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK |
| Pacchetto / caso | PowerPAK® 1212-8 | quantità disponibile | 60000 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA | Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | Rds On (max) a Id, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | Contenitore / involucro | PowerPAK® 1212-8 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3490 pF @ 15 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 22.4A (Ta), 60A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | SISA01 | ||
| Scaricare | SISA01DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
SISA01DN-T1-GE3
Introduzione
MOSFET a canale P per conversione di potenza e switching
Marca e Produttore
Electro-Films (EFI) / Vishay
Caratteristiche
Conversione di potenza efficiente, alta velocità di commutazione, bassa resistenza di attivazione, dissipazione di potenza ridotta
Prestazioni del Prodotto
Alto corrente di drenaggio continuo, operante in un ampio intervallo di temperature, eccellente prestazione termica
Specifiche Tecniche
MOSFET a canale P 30V 60A, confezione PowerPAK 1212-8
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Confezione quadrata PowerPAK 1212-8, spedito in nastro e bobina (TR) per assemblaggio automatizzato
Qualità e Affidabilità
Privo di piombo / conforme a RoHS, livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1
Vantaggi del Prodotto
Alta capacità di corrente, bassa resistenza termica
Competitività del Prodotto
Tecnologia avanzata TrenchFET Gen IV
Compatibilità
Compatibile con tecnologia di montaggio superficiale
Certificazione e Conformità ai Standard
Rispetta o supera gli standard industriali per prodotti privi di piombo e RoHS
Durata e Sostenibilità
Design robusto per affidabilità a lungo termine
Campi di Applicazione Effettivi
Gestione dell'elettricità, convertitori DC/DC, sistemi di gestione della batteria
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SISA01DN-T1-GE3 online.
| Azione SISA01DN-T1-GE3 | Prezzo SISA01DN-T1-GE3 | Elettronica SISA01DN-T1-GE3 | |||
| Componenti SISA01DN-T1-GE3 | Inventario SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 Digikey | |||
| Fornitore SISA01DN-T1-GE3 | Ordina SISA01DN-T1-GE3 online | Inchiesta SISA01DN-T1-GE3 | |||
| Immagine SISA01DN-T1-GE3 | Immagine SISA01DN-T1-GE3 | SISA01DN-T1-GE3 PDF | |||
| Datasheet SISA01DN-T1-GE3 | Scarica la scheda tecnica SISA01DN-T1-GE3 | Produttore Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
| Parti correlate per SISA01DN-T1-GE3 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SIS964L A2 | SIS BGA | SIS | ||
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SIS965L | SIS | |||
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SIS990DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SIS964L | SIS BGA | SIS | ||
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SISA04DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS968 | SIS | |||
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SIS968 B0 AA | SIS BGA | SIS | ||
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SIS968 BO | SIS | |||
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SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
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SIS990DN-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 | Vishay Siliconix | ||
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SIS965 B1 | SIS BGA | SIS | ||
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SISA10BDN-T1-GE3 | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE | Vishay Siliconix | ||
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SISA12ADN | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SIS965 | SIS | |||
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SISA04DN-T1-GE3 IC | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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SISA10DN-T1 | SISA10DN-T1 VISHAY | VISHAY | ||
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SISA10DN | SISA10DN vishay | vishay | ||
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SISA04DN-T1-GE3 MOS | VISHAY QFN | VISHAY | ||
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