| SQ4532AEY-T1_GE3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SQ4532AEY-T1_GE3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| quantità disponibile | 2003 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SQ4532AEY-T1_GE3.pdf |
| SQ4532AEY-T1_GE3 Price |
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| Informazioni tecniche di SQ4532AEY-T1_GE3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SQ4532AEY-T1_GE3 | Categoria | |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC | quantità disponibile | 2003 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC | Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V | Potenza - Max | 3.3W |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| Caratteristica FET | - | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) | Configurazione | N and P-Channel |
| Numero di prodotto di base | SQ4532 | ||
| Scaricare | SQ4532AEY-T1_GE3 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
SQ4532AEY-T1_GE3
Introduzione
Array di MOSFET N e P-Channel 30V
Marca e Produttore
Electro-Films (EFI) / Vishay
Caratteristiche
Canali N e P, Caratteristica FET standard, Qualificato AEC-Q101, Tecnologia TrenchFET
Prestazioni del Prodotto
Potenza in uscita - Max 3.3W, Temperatura operativa da -55°C a 175°C, Corrente di Drain continua a 25°C - 7.3A (Tc) per canale N, 5.3A (Tc) per canale P
Specifiche Tecniche
Tensione Drain a Source (Vdss) 30V, Rds On 31 mOhm a 4.9A, 10V (canale N), 70 mOhm a 3.5A, 10V (canale P), Tensione di soglia del Gate (Vgs(th)) 2.5V max a 250µA, Carica del Gate (Qg) 7.8nC a 10V (canale N), 10.2nC a 10V (canale P), Capacitanza di ingresso (Ciss) 535pF a 15V (canale N), 528pF a 15V (canale P)
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Montaggio superficiale, Pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm di larghezza), Imballaggio a nastro e bobina (TR)
Qualità e Affidabilità
Certificazione AEC-Q101
Vantaggi del Prodotto
Alta capacità di temperatura, Basso Rds On per una gestione efficiente dell'energia
Competitività del Prodotto
Offre dispositivi sia N che P-Channel in un unico pacchetto, Capace di gestire una potenza notevole per le sue dimensioni
Compatibilità
Compatibile con il montaggio superficiale con footprint standard 8-SOIC
Certificazione e Conformità ai Standard
AEC-Q101
Durata e Sostenibilità
Progettato per longevità e affidabilità automobilistica, Resistente a condizioni ambientali difficili
Campi di Applicazione Effettivi
Elettronica automobilistica, Applicazioni di gestione dell'energia, Circuiti di conversione e inversione
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SQ4532AEY-T1_GE3 online.
| Azione SQ4532AEY-T1_GE3 | Prezzo SQ4532AEY-T1_GE3 | Elettronica SQ4532AEY-T1_GE3 | |||
| Componenti SQ4532AEY-T1_GE3 | Inventario SQ4532AEY-T1_GE3 | SQ4532AEY-T1_GE3 Digikey | |||
| Fornitore SQ4532AEY-T1_GE3 | Ordina SQ4532AEY-T1_GE3 online | Inchiesta SQ4532AEY-T1_GE3 | |||
| Immagine SQ4532AEY-T1_GE3 | Immagine SQ4532AEY-T1_GE3 | SQ4532AEY-T1_GE3 PDF | |||
| Datasheet SQ4532AEY-T1_GE3 | Scarica la scheda tecnica SQ4532AEY-T1_GE3 | Produttore Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
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