| SUM70101EL-GE3 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | SUM70101EL-GE3 |
| fabbricante | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| quantità disponibile | 5800 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | SUM70101EL-GE3.pdf |
| SUM70101EL-GE3 Price |
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| Informazioni tecniche di SUM70101EL-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | SUM70101EL-GE3 | Categoria | |
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay | Descrizione | MOSFET P-CH 100V 120A TO263 |
| Pacchetto / caso | TO-263 (D²Pak) | quantità disponibile | 5800 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (max) a Id, Vgs | 10.1mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 50 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | SUM70101 | ||
| Scaricare | SUM70101EL-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
SUM70101EL-GE3
Introduzione
MOSFET P-Channel per applicazioni ad alta potenza.
Marca e Produttore
Electro-Films (EFI) / Vishay
Caratteristiche
Tecnologia MOSFET P-Channel, Alta corrente di scarico continua di 120A, Bassa carica di gate di 190nC, Elevata dissipazione di potenza di 375W, Funzionamento a temperature estese.
Prestazioni del Prodotto
Capace di gestire un'alta tensione da drain a source di 100V, Supporta fino a 120A di corrente di scarico continua a 25°C, Funziona in modo efficiente a temperature che vanno da -55°C a 175°C, Adatto per applicazioni ad alta velocità di commutazione.
Specifiche Tecniche
Tensione da Drain a Source (Vdss) di 100V, Tensione di soglia Gate-Source (Vgs(th)) a 2.5V, Carica massima di gate (Qg) di 190nC a 10V, Capacità di ingresso (Ciss) di 7000pF a 50V, Tensione di pilotaggio per Max Rds On e Min Rds On a 4.5V, 10V, Vgs (Max) di ±20V.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
TO-263-3, DPak (2 pin + tab), confezione TO-263AB, Dispositivo a montaggio superficiale, Imballato in Digi-Reel.
Qualità e Affidabilità
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato).
Vantaggi del Prodotto
Bassa resistenza termica, Ridotte perdite di conduzione, Alta affidabilità e prestazioni robuste.
Competitività del Prodotto
Ottimizzato per applicazioni di gestione dell'energia ad alte prestazioni, Competitivo con MOSFET P-Channel ad alta potenza simili presenti sul mercato.
Compatibilità
Compatibile con tecnologia PCB standard a montaggio superficiale.
Certificazione e Conformità ai Standard
Rispetta la normativa RoHS, Senza piombo (Pb-Free).
Durata e Sostenibilità
Progettato per lunga durata e prestazioni affidabili.
Campi di Applicazione Effettivi
Circuiti di alimentazione, Sistemi di controllo motore, Convertitori DC-DC, Gestione dell'energia per telecomunicazioni.
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ SUM70101EL-GE3 online.
| Azione SUM70101EL-GE3 | Prezzo SUM70101EL-GE3 | Elettronica SUM70101EL-GE3 | |||
| Componenti SUM70101EL-GE3 | Inventario SUM70101EL-GE3 | SUM70101EL-GE3 Digikey | |||
| Fornitore SUM70101EL-GE3 | Ordina SUM70101EL-GE3 online | Inchiesta SUM70101EL-GE3 | |||
| Immagine SUM70101EL-GE3 | Immagine SUM70101EL-GE3 | SUM70101EL-GE3 PDF | |||
| Datasheet SUM70101EL-GE3 | Scarica la scheda tecnica SUM70101EL-GE3 | Produttore Electro-Films (EFI) / Vishay | |||
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