AUIRS21811STR | |
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Modello di prodotti | AUIRS21811STR |
fabbricante | Infineon Technologies |
Descrizione | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
quantità disponibile | 14000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.AUIRS21811STR.pdf2.AUIRS21811STR.pdf3.AUIRS21811STR.pdf4.AUIRS21811STR.pdf5.AUIRS21811STR.pdf |
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AUIRS21811STR Price |
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Informazioni tecniche di AUIRS21811STR | |||
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codice articolo del costruttore | AUIRS21811STR | Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
Pacchetto / caso | 8-SOIC | quantità disponibile | 14000 pcs |
Tensione di alimentazione - | 10V ~ 20V | Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Serie | - | Tempo di salita / scadenza (Typ) | 60ns, 35ns (Max) |
Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Frequenza di ingresso | 2 |
Tipo montaggio | Surface Mount | Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
Tipo di ingresso | Non-Inverting | Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) | 600 V |
Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET | Configurazione guidata | Half-Bridge |
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) | 1.9A, 2.3A | Base-Emitter Tensione di saturazione (max) | Independent |
Numero di prodotto di base | AUIRS2181 | AUIRS21811STR Dettagli PDF [English] | AUIRS21811STR PDF - EN.pdf |
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AUIRS21811STR
Driver per MOSFET e IGBT ad alta tensione e alta velocità con canali di uscita indipendenti referenziati per alta e bassa tensione.
Infineon Technologies
Configurazione a Ponte Dalla Metà, Tipo di Canale Indipendente, Driver Doppio per IGBT e MOSFET a Canale N, Tipo di Ingresso Non Invertente, Circuito bootstrap per pilotaggio ad alta tensione, Protezione integrata da sottotensione.
Gamma di Tensione di Alimentazione: da 10V a 20V, Soglie di Ingresso Logico: VIL 0.8V, VIH 2.5V, Correnti di Uscita di Picco Elevate: Fonte 1.9A, Scarico 2.3A, Tensione Alta: Max 600V (Bootstrap), Velocità di Commutazione Elevate: Tempo di Salita 60ns, Tempo di Discesa 35ns (Max).
Gamma di Tensione di Pilotaggio del Gate: da 10V a 20V, Soglie di Ingresso Logico: VIL 0.8V, VIH 2.5V, Corrente di Picco in Uscita: Fonte 1.9A, Scarico 2.3A, Massima Tensione Bootstrap: 600V, Tempo di Salita/Discesa: 60ns/35ns.
Tipo di Montaggio: Montaggio superficiale, Involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm di larghezza), Imballaggio su nastro e bobina (TR).
Gamma di temperatura operativa: da -40°C a 150°C.
Alta integrazione per design compatti, Design semplificato per configurazioni a ponte Dalla Metà.
Adatto per operazioni ad alta frequenza, Durevole e affidabile fino ad alte temperature.
Interfaccia con microcontrollori o logica digitale.
Involucro standard di settore SOIC-8.
Eccellente prestazione termica che estende la durata.
Alimentatori a commutazione, Convertitori DC-DC, Controllo motore, Inverter e Audio di Classe D.
Azione AUIRS21811STR | Prezzo AUIRS21811STR | Elettronica AUIRS21811STR | |||
Componenti AUIRS21811STR | Inventario AUIRS21811STR | AUIRS21811STR Digikey | |||
Fornitore AUIRS21811STR | Ordina AUIRS21811STR online | Inchiesta AUIRS21811STR | |||
Immagine AUIRS21811STR | Immagine AUIRS21811STR | AUIRS21811STR PDF | |||
Datasheet AUIRS21811STR | Scarica la scheda tecnica AUIRS21811STR | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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AUIRS2128S | IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC | Infineon Technologies | ||
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