BSC077N12NS3GATMA1
Modello di prodotti BSC077N12NS3GATMA1
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
quantità disponibile 2065 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.BSC077N12NS3GATMA1.pdf2.BSC077N12NS3GATMA1.pdf3.BSC077N12NS3GATMA1.pdf4.BSC077N12NS3GATMA1.pdf5.BSC077N12NS3GATMA1.pdf
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Informazioni tecniche di BSC077N12NS3GATMA1
codice articolo del costruttore BSC077N12NS3GATMA1 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Pacchetto / caso PG-TDSON-8-1 quantità disponibile 2065 pcs
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 110µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8-1
Serie OptiMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 7.7mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 139W (Tc) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 60 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 120 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Numero di prodotto di base BSC077  
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Modello del Prodotto

BSC077N12NS3 GATMA1

Introduzione

MOSFET a canale N ad alta efficienza

Marca e Produttore

International Rectifier (Infineon Technologies)

Caratteristiche

Serie OptiMOS per una densità di potenza e un'efficienza superiori; bassa resistenza in conduzione per elevate prestazioni di commutazione; tempi di commutazione e di salita rapidi; eccellente prestazione termica.

Prestazioni del Prodotto

Robusto e in grado di resistere a un'ampia gamma di condizioni operative; elevata capacità di corrente continua a drenaggio; bassa dissipazione di potenza per una migliore efficienza complessiva.

Specifiche Tecniche

Tecnologia MOSFET; 120V tensione di drenaggio a sorgente (Vdss); corrente continua a drenaggio da 13.4A a 98A (Id); 7.7 mOhm Rds On a 50A, 10V; tensione di soglia del gate (Vgs(th)) di 4V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto PG-TDSON-8; nastro e bobina (TR) per linee di assemblaggio automatizzate; tipo di montaggio a superficie.

Qualità e Affidabilità

Privo di piombo / conforme RoHS per la sostenibilità ambientale; alta affidabilità in un'ampia gamma di temperature (-55°C ~ 150°C).

Vantaggi del Prodotto

Densità di potenza migliorata per design compatti; maggiore efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza; prolungata durata della batteria nelle applicazioni portatili; complessità ridotta della gestione termica.

Competitività del Prodotto

Vantaggio competitivo in efficienza energetica e dimensioni; velocità di commutazione superiori che riducono le perdite energetiche; ottimizzato per applicazioni ad alte prestazioni.

Compatibilità

Compatibile con apparecchiature di tecnologia di montaggio superficiale; adatto per layout di PCB ad alta densità.

Certificazione e Conformità ai Standard

Rispetta gli standard RoHS per le sostanze soggette a restrizioni.

Durata e Sostenibilità

Lunga vita del prodotto con prestazioni sostenute; efficiente dal punto di vista energetico per un'impronta ecologica ridotta.

Campi di Applicazione Effettivi

Unità di alimentazione; convertitori DC-DC; azionamenti per motori; sistemi di gestione della batteria; applicazioni di calcolo e server.

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