BSC082N10LS G | |
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Modello di prodotti | BSC082N10LS G |
fabbricante | INFINEON |
Descrizione | INFINEON 2008+RoHS |
quantità disponibile | 5900 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | |
BSC082N10LS G Price |
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Informazioni tecniche di BSC082N10LS G | |||
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codice articolo del costruttore | BSC082N10LS G | Categoria | Circuiti integrati (ICS) |
fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | INFINEON 2008+RoHS |
Pacchetto / caso | TDSON-8 | quantità disponibile | 5900 pcs |
Condtion | New Original Stock | Garanzia | 100% Perfect Functions |
Tempi di consegna | 2-3days after payment. | Pagamento | PayPal / Telegraphic Transfer / Western Union |
Spedizione entro | DHL / Fedex / UPS | Porta | HongKong |
Email RFQ |
BSC082N10LS G
Transistor di potenza MOSFET N-Channel
Infineon Technologies
Modalità di miglioramento N-Channel, bassa resistenza ON, alta velocità di commutazione, alta densità di potenza, ottimizzato per la rettificazione sincrona, comportamento termico migliorato, carica del gate minimizzata
Elevata capacità di trasporto di corrente, ridotto abbattimento di tensione sotto carico, tempi di commutazione rapidi, robustezza contro commutazioni difficili
Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 100V, Rds On - Resistenza Drain-Source: 8,2 mOhm, Id - Corrente continua Drain: 100A, Qg - Carica del gate: 47nC
Pacchetto TO-220-3, forma dei pin diritti, imballaggio all'ingrosso
Tecnologia MOSFET collaudata, testata approfonditamente per resistenza, conforme agli standard di settore
Efficiente dal punto di vista energetico, riduce la complessità del sistema, offre soluzioni di gestione termica
Prestazioni elevate nelle operazioni di conversione di potenza, rapporto prezzo-prestazioni competitivo
Compatibile con le tecniche di montaggio SMD standard, adatto per design PCB ad alta densità
Conforme a RoHS, senza Pb, senza alogeni
Ciclo di vita del prodotto esteso, progettato per affidabilità a lungo termine
Alimentatori, convertitori DC-DC, azionamenti per motori, sistemi di gestione delle batterie, sistemi di energia alternativa
Azione BSC082N10LS G | Prezzo BSC082N10LS G | Elettronica BSC082N10LS G | |||
Componenti BSC082N10LS G | Inventario BSC082N10LS G | BSC082N10LS G Digikey | |||
Fornitore BSC082N10LS G | Ordina BSC082N10LS G online | Inchiesta BSC082N10LS G | |||
Immagine BSC082N10LS G | Immagine BSC082N10LS G | BSC082N10LS G PDF | |||
Datasheet BSC082N10LS G | Scarica la scheda tecnica BSC082N10LS G | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Parti correlate per BSC082N10LS G | |||||
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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BSC080N03MSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON | Infineon Technologies | ||
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BSC082N10NS3G | BSC082N10NS3G INFINEON | INFINEON | ||
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BSC080P03LS G | BSC080P03LS G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
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BSC082N10LSGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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BSC080N03NS3G | BSC080N03NS3G INFINEON | INFINEON | ||
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BSC080N12LSGATMA1 | TRENCH >=100V PG-TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
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BSC084P03NS3G | INFINEON TDSON8 | INFINEON | ||
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BSC080N03S G | BSC080N03S G INFINEON | INFINEON | ||
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BSC084P03NS3EGATMA1 | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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BSC080P03LS | INFINEON DFN-85X6 | INFINEON | ||
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BSC084P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON | Infineon Technologies | ||
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BSC082N10LSG | BSC082N10LSG INFINEON | INFINEON | ||
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BSC080P03LSGAUMA1 | MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8 | Infineon Technologies | ||
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BSC084P03NS3 | INFINEON | |||
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BSC084P03NS3 G | BSC084P03NS3 G Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
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BSC084P03NS3EG | Infineon New | Infineon | ||
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BSC084P03NS3E G | BSC084P03NS3E G VB | VB | ||
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BSC080P03LSG | BSC080P03LSG INFINEO | INFINEO | ||
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BSC080P03NS3G | BSC080P03NS3G INFINEON | INFINEON | ||
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BSC082N10LS | INFINEON |
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