| BSS159NH6327XTSA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | BSS159NH6327XTSA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 |
| quantità disponibile | 2960 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.BSS159NH6327XTSA1.pdf2.BSS159NH6327XTSA1.pdf3.BSS159NH6327XTSA1.pdf4.BSS159NH6327XTSA1.pdf |
| BSS159NH6327XTSA1 Price |
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| Informazioni tecniche di BSS159NH6327XTSA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | BSS159NH6327XTSA1 | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 |
| Pacchetto / caso | PG-SOT23 | quantità disponibile | 2960 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 26µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-SOT23 |
| Serie | SIPMOS® | Rds On (max) a Id, Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 360mW (Ta) | Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 44 pF @ 25 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 5 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Depletion Mode | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Ta) |
| Scaricare | BSS159NH6327XTSA1 PDF - EN.pdf | ||
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| Azione BSS159NH6327XTSA1 | Prezzo BSS159NH6327XTSA1 | Elettronica BSS159NH6327XTSA1 | |||
| Componenti BSS159NH6327XTSA1 | Inventario BSS159NH6327XTSA1 | BSS159NH6327XTSA1 Digikey | |||
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| Immagine BSS159NH6327XTSA1 | Immagine BSS159NH6327XTSA1 | BSS159NH6327XTSA1 PDF | |||
| Datasheet BSS159NH6327XTSA1 | Scarica la scheda tecnica BSS159NH6327XTSA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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