BSS225L6327HTSA1 | |
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Modello di prodotti | BSS225L6327HTSA1 |
fabbricante | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 |
quantità disponibile | 8010 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.BSS225L6327HTSA1.pdf2.BSS225L6327HTSA1.pdf |
BSS225L6327HTSA1 Price |
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Informazioni tecniche di BSS225L6327HTSA1 | |||
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codice articolo del costruttore | BSS225L6327HTSA1 | Categoria | |
fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 |
Pacchetto / caso | PG-SOT89 | quantità disponibile | 8010 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 94µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Serie | SIPMOS® | Rds On (max) a Id, Vgs | 45Ohm @ 90mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) | Contenitore / involucro | TO-243AA |
Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 131 pF @ 25 V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 600 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 90mA (Ta) |
Scaricare | BSS225L6327HTSA1 PDF - EN.pdf |
BSS225L6327HTSA1
MOSFET N-Channel a piccole segnali
Infineon Technologies, precedentemente International Rectifier
Alta tensione di rottura; Bassa resistenza in conduzione; Capacità di commutazione rapida; Maggiore densità di potenza
Operazione stabile fino a 150°C; Conversione di potenza efficiente; Bassa resistenza termica
Tecnologia MOSFET; Tensione Drain to Source di 600V; Corrente continua di Drain di 90mA
Pacchetto TO-243AA; PG-SOT89 Supplier Device Package; Imballaggio Tape & Reel per assemblaggio automatico
Privo di piombo e conforme alla direttiva RoHS; Alta robustezza e affidabilità
Adatto per applicazioni ad alta tensione; Risparmio energetico grazie alla riduzione delle perdite
Ottimizzato per applicazioni di gestione dell'energia; Capacità di dissipazione di potenza competitive
Compatibile con il montaggio superficiale e i processi SMT standard
Conforme alla norma RoHS, garantendo sicurezza ambientale
Progettato per una lunga affidabilità; Contribuisce a prodotti finali a efficienza energetica
Alimentatori; Sistemi di controllo motori; Circuiti inverter; Gestione dell'energia
Azione BSS225L6327HTSA1 | Prezzo BSS225L6327HTSA1 | Elettronica BSS225L6327HTSA1 | |||
Componenti BSS225L6327HTSA1 | Inventario BSS225L6327HTSA1 | BSS225L6327HTSA1 Digikey | |||
Fornitore BSS225L6327HTSA1 | Ordina BSS225L6327HTSA1 online | Inchiesta BSS225L6327HTSA1 | |||
Immagine BSS225L6327HTSA1 | Immagine BSS225L6327HTSA1 | BSS225L6327HTSA1 PDF | |||
Datasheet BSS225L6327HTSA1 | Scarica la scheda tecnica BSS225L6327HTSA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Parti correlate per BSS225L6327HTSA1 | |||||
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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BSS223PWL6327 MOS | INFINEON SOT-323 | INFINEON | ||
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BSS225 H6327 code KD | INFINEON SOT-89 | INFINEON | ||
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BSS225H6327FTSA1 | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | Infineon Technologies | ||
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BSS284 H6327 | INFINEON SOT-23 | INFINEON | ||
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BSS284 | SIE | |||
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BSS225 L6327 | INFINEON SOT-89 | INFINEON | ||
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BSS225H6327 | INFINEON | |||
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BSS225L6327 | BSS225L6327 INFINEON | INFINEON | ||
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BSS295 | INFINEON | |||
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BSS225H6327XTSA1 | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | Infineon Technologies | ||
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BSS284E6327 | SOT-23 | |||
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BSS306N H6327 | BSS306N H6327 Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||
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BSS306N L6327 | BSS306N L6327 Infineon | Infineon | ||
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BSS225 E6327 | BSS225 E6327 INF | INF | ||
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BSS225 | MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 | Infineon Technologies | ||
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BSS284H6327 | INFINEON SOT-23 | INFINEON | ||
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BSS223PWL6327 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | Infineon Technologies | ||
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BSS306N | BSS306N INFINEON | INFINEON | ||
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BSS306N MOS | VBSEMI SOT-23 | VBSEMI | ||
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BSS284 E6327 | INFINEON SOT23 | INFINEON |
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