BSZ013NE2LS5IATMA1 | |
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Modello di prodotti | BSZ013NE2LS5IATMA1 |
fabbricante | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON |
quantità disponibile | 2530 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf2.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf3.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf4.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf |
BSZ013NE2LS5IATMA1 Price |
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Informazioni tecniche di BSZ013NE2LS5IATMA1 | |||
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codice articolo del costruttore | BSZ013NE2LS5IATMA1 | Categoria | |
fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON |
Pacchetto / caso | PG-TSDSON-8-FL | quantità disponibile | 2530 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±16V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Serie | OptiMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 1.3mOhm @ 20A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 12 V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 25 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 40A (Tc) |
Numero di prodotto di base | BSZ013 | ||
Scaricare | BSZ013NE2LS5IATMA1 PDF - EN.pdf |
Azione BSZ013NE2LS5IATMA1 | Prezzo BSZ013NE2LS5IATMA1 | Elettronica BSZ013NE2LS5IATMA1 | |||
Componenti BSZ013NE2LS5IATMA1 | Inventario BSZ013NE2LS5IATMA1 | BSZ013NE2LS5IATMA1 Digikey | |||
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Immagine BSZ013NE2LS5IATMA1 | Immagine BSZ013NE2LS5IATMA1 | BSZ013NE2LS5IATMA1 PDF | |||
Datasheet BSZ013NE2LS5IATMA1 | Scarica la scheda tecnica BSZ013NE2LS5IATMA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
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