BSZ013NE2LS5IATMA1
Modello di prodotti BSZ013NE2LS5IATMA1
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
quantità disponibile 2530 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf2.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf3.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf4.BSZ013NE2LS5IATMA1.pdf
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Informazioni tecniche di BSZ013NE2LS5IATMA1
codice articolo del costruttore BSZ013NE2LS5IATMA1 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
Pacchetto / caso PG-TSDSON-8-FL quantità disponibile 2530 pcs
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-TSDSON-8-FL
Serie OptiMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 1.3mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 12 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 25 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 40A (Tc)
Numero di prodotto di base BSZ013  
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