| BSZ0804LSATMA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | BSZ0804LSATMA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON |
| quantità disponibile | 2321 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | BSZ0804LSATMA1.pdf |
| BSZ0804LSATMA1 Price |
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| Informazioni tecniche di BSZ0804LSATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | BSZ0804LSATMA1 | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 100V 11A/40A TSDSON |
| Pacchetto / caso | PG-TDSON-8 FL | quantità disponibile | 2321 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 36µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 FL |
| Serie | OptiMOS™ 5 | Rds On (max) a Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | BSZ0804 |
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| Azione BSZ0804LSATMA1 | Prezzo BSZ0804LSATMA1 | Elettronica BSZ0804LSATMA1 | |||
| Componenti BSZ0804LSATMA1 | Inventario BSZ0804LSATMA1 | BSZ0804LSATMA1 Digikey | |||
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| Immagine BSZ0804LSATMA1 | Immagine BSZ0804LSATMA1 | BSZ0804LSATMA1 PDF | |||
| Datasheet BSZ0804LSATMA1 | Scarica la scheda tecnica BSZ0804LSATMA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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