| IPB048N15N5ATMA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IPB048N15N5ATMA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| quantità disponibile | 3054 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IPB048N15N5ATMA1.pdf2.IPB048N15N5ATMA1.pdf3.IPB048N15N5ATMA1.pdf |
| IPB048N15N5ATMA1 Price |
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| Informazioni tecniche di IPB048N15N5ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IPB048N15N5ATMA1 | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| Pacchetto / caso | PG-TO263-3-2 | quantità disponibile | 3054 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4.6V @ 264µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 4.8mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 75 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 150 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | IPB048 | ||
| Scaricare | IPB048N15N5ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
IPB048N15N5ATMA1
Introduzione
MOSFET N-Channel per conversione di potenza ad alta efficienza
Marca e Produttore
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caratteristiche
Bassa resistenza in conduzione, alta velocità di commutazione, bassa carica del gate, ottimizzato per la conversione di potenza ad alte prestazioni
Prestazioni del Prodotto
Eccellente prestazione termica, robusto contro la commutazione dura, operazione stabile in condizioni di sovraccarico elevate
Specifiche Tecniche
Tipo: N-Channel. Tensione Drain-Source (Vdss): 150V. Corrente Drain Continua (Id): 100A. Tensione Gate-Source (Vgs): ±20V. Carica totale del Gate (Qg): 135nC.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Imballaggio quadrato, senza piombo, fornito in nastro e bobina standard per inserimento automatico
Qualità e Affidabilità
Altamente affidabile in condizioni estreme, testato per la stabilità a lungo termine, conforme a rigorosi standard di qualità del settore
Vantaggi del Prodotto
Alta efficienza che porta a un ridotto consumo energetico, facile da pilotare e controllare
Competitività del Prodotto
Rapporto prezzo-prestazioni competitivo, tecnologia all'avanguardia da un leader nel settore dei semiconduttori
Compatibilità
Compatibile con applicazioni di commutazione standard e circuiti di pilotaggio
Certificazione e Conformità ai Standard
Senza piombo, conforme alla direttiva RoHS
Durata e Sostenibilità
Lunga durata operativa in condizioni raccomandate, sostenibile dal punto di vista ambientale con componenti senza piombo
Campi di Applicazione Effettivi
Unità di alimentazione, convertitori DC-DC, azionamenti per motori, inverter, applicazioni automobilistiche
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| Azione IPB048N15N5ATMA1 | Prezzo IPB048N15N5ATMA1 | Elettronica IPB048N15N5ATMA1 | |||
| Componenti IPB048N15N5ATMA1 | Inventario IPB048N15N5ATMA1 | IPB048N15N5ATMA1 Digikey | |||
| Fornitore IPB048N15N5ATMA1 | Ordina IPB048N15N5ATMA1 online | Inchiesta IPB048N15N5ATMA1 | |||
| Immagine IPB048N15N5ATMA1 | Immagine IPB048N15N5ATMA1 | IPB048N15N5ATMA1 PDF | |||
| Datasheet IPB048N15N5ATMA1 | Scarica la scheda tecnica IPB048N15N5ATMA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Parti correlate per IPB048N15N5ATMA1 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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IPB043N10NF2SATMA1 | AUTOMOTIVE MOSFET | Infineon Technologies | ||
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IPB048N15N5 | INFINEON | |||
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IPB049N08N5 | INFINEON TO263-2 | INFINEON | ||
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IPB048N06L G | IPB048N06L G VB | VB | ||
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IPB049N06L3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
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IPB049N06L3 G | IPB049N06L3 G VB | VB | ||
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IPB049N06L3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IPB044N15N5ATMA1 | MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 | Infineon Technologies | ||
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IPB048N06L | INFINEON | |||
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IPB049N06L3 | INFINEON | |||
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IPB048N15N5LFATMA1 | MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IPB049N08N5 MOS | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
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IPB049N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IPB048N06LGATMA1 | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IPB044N15N5 | Infineon TO263-7 | Infineon | ||
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IPB042N10NF2SATMA1 | TRENCH >=100V | Infineon Technologies | ||
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IPB048N15N5LF | INFINEON 2018+RoHS | INFINEON | ||
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IPB044N15N5ATMA1 044N15N5 | INFINEON TO-263 | INFINEON | ||
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IPB048N06LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | Infineon Technologies | ||
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IPB048N15N5ATMA1 IC | IR TO-263 | IR | ||
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