| IPB60R600C6ATMA1 | |
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| Modello di prodotti | IPB60R600C6ATMA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| quantità disponibile | 2618 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IPB60R600C6ATMA1.pdf2.IPB60R600C6ATMA1.pdf3.IPB60R600C6ATMA1.pdf |
| IPB60R600C6ATMA1 Price |
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| Informazioni tecniche di IPB60R600C6ATMA1 | |||
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| codice articolo del costruttore | IPB60R600C6ATMA1 | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK |
| Pacchetto / caso | PG-TO263-3 | quantità disponibile | 2618 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Serie | CoolMOS™ C6 | Rds On (max) a Id, Vgs | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 63W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 100 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | IPB60R | ||
| Scaricare | IPB60R600C6ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
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| Azione IPB60R600C6ATMA1 | Prezzo IPB60R600C6ATMA1 | Elettronica IPB60R600C6ATMA1 |
| Componenti IPB60R600C6ATMA1 | Inventario IPB60R600C6ATMA1 | IPB60R600C6ATMA1 Digikey |
| Fornitore IPB60R600C6ATMA1 | Ordina IPB60R600C6ATMA1 online | Inchiesta IPB60R600C6ATMA1 |
| Immagine IPB60R600C6ATMA1 | Immagine IPB60R600C6ATMA1 | IPB60R600C6ATMA1 PDF |
| Datasheet IPB60R600C6ATMA1 | Scarica la scheda tecnica IPB60R600C6ATMA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
