| IPB90R340C3ATMA1 | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IPB90R340C3ATMA1 |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK |
| quantità disponibile | 1650 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | 1.IPB90R340C3ATMA1.pdf2.IPB90R340C3ATMA1.pdf3.IPB90R340C3ATMA1.pdf4.IPB90R340C3ATMA1.pdf |
| IPB90R340C3ATMA1 Price |
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| Informazioni tecniche di IPB90R340C3ATMA1 | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IPB90R340C3ATMA1 | Categoria | |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK |
| Pacchetto / caso | PG-TO263-3 | quantità disponibile | 1650 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Serie | CoolMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 340mOhm @ 9.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) | Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 100 V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 10 V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 900 V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
| Numero di prodotto di base | IPB90R | ||
| Scaricare | IPB90R340C3ATMA1 PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
IPB90R340C3ATMA1
Introduzione
MOSFET ad Alta Tensione
Marca e Produttore
International Rectifier (Infineon Technologies)
Caratteristiche
Tecnologia CoolMOS, Energia Efficient, Basso Riluttanza in Condurimento, Commutazione Veloce, Diodo Corpo Robusto
Prestazioni del Prodotto
Alta Dissipazione del Potere di 208W, Funziona in Ambienti ad Alta Temperatura, Modalità di Incremento a Canale N, Elevata Capacità di Corrente
Specifiche Tecniche
MOSFET (Tecnologia di Ossido Metallico), Tensione tra Drain e Source: 900V, Corrente Continua del Drain: 15A, Rds On: 340 mOhm, Carica della Porta: 11nC, Capacità di Entrata: 2400pF
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Montaggio Superficiale TO-263-3, D2PAK, Imballato in Rullo e Carta per l'Assemblaggio Automatico
Qualità e Affidabilità
Alta Prestazione Termica, Operazione Stabile sotto Stress Termico
Vantaggi del Prodotto
Progettato per l'Efficienza nella Conversione del Potere, Idoneo per Applicazioni ad Alta Tensione
Competitività del Prodotto
MOSFET Competitivo nel Segmento a Alta Tensione
Compatibilità
Compatibile con i Comuni Driver MOSFET
Certificazione e Conformità ai Standard
Conforme agli Standard dell'Industria per i Dispositivi da Montaggio Superficiale
Durata e Sostenibilità
Progettato per Affidabilità e Prestazioni a Lungo Termine
Campi di Applicazione Effettivi
Unità di Alimentazione, Controllo del Motore, Inverter, Convertitori di Commutazione
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| Azione IPB90R340C3ATMA1 | Prezzo IPB90R340C3ATMA1 | Elettronica IPB90R340C3ATMA1 | |||
| Componenti IPB90R340C3ATMA1 | Inventario IPB90R340C3ATMA1 | IPB90R340C3ATMA1 Digikey | |||
| Fornitore IPB90R340C3ATMA1 | Ordina IPB90R340C3ATMA1 online | Inchiesta IPB90R340C3ATMA1 | |||
| Immagine IPB90R340C3ATMA1 | Immagine IPB90R340C3ATMA1 | IPB90R340C3ATMA1 PDF | |||
| Datasheet IPB90R340C3ATMA1 | Scarica la scheda tecnica IPB90R340C3ATMA1 | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Parti correlate per IPB90R340C3ATMA1 | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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IPBD-02-S | CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM | Samtec Inc. | ||
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IPB95R130PFD7ATMA1 | HIGH POWER_NEW | Infineon Technologies | ||
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IPB90R340C3ATMA2 | MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3 | Infineon Technologies | ||
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IPB95R450PFD7ATMA1 | MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3 | Infineon Technologies | ||
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IPB90N06S4L-04 MOS | INFINEON TO263 | INFINEON | ||
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IPB90N06S4L04ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | Infineon Technologies | ||
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IPB95R310PFD7ATMA1 | LOW POWER_NEW | Infineon Technologies | ||
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IPBD-02-D | CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM | Samtec Inc. | ||
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IPB90N06S4L04ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | Infineon Technologies | ||
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IPB90N06S4L-04 | IPB90N06S4L-04 VB | VB | ||
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IPB90N06S404ATMA1 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | Infineon Technologies | ||
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IPBD-02-D-K | CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM | Samtec Inc. | ||
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IPB90N06S404ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | International Rectifier (Infineon Technologies) | ||
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IPB90P04P4-05 | INFINEON | |||
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IPBD-02-S-M-K | CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM | Samtec Inc. | ||
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IPB90N06S4-04 | IPB90N06S4-04 VB | VB | ||
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IPB90R340C3 | IPB90R340C3 INFINEON | INFINEON | ||
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IPB90N04S402ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK | Infineon Technologies | ||
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IPBD-02-S-K | CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM | Samtec Inc. | ||
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IPBD-02-D-K-M | CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM | Samtec Inc. | ||
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