IPD30N03S2L07ATMA1
Modello di prodotti IPD30N03S2L07ATMA1
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
quantità disponibile 2518 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf2.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf3.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf4.IPD30N03S2L07ATMA1.pdf
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Informazioni tecniche di IPD30N03S2L07ATMA1
codice articolo del costruttore IPD30N03S2L07ATMA1 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Pacchetto / caso PG-TO252-3-11 quantità disponibile 2518 pcs
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 85µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3-11
Serie OptiMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 6.7mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 136W (Tc) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Numero di prodotto di base IPD30N  
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