IPD60R950C6ATMA1
Modello di prodotti IPD60R950C6ATMA1
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
quantità disponibile 13200 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.IPD60R950C6ATMA1.pdf2.IPD60R950C6ATMA1.pdf3.IPD60R950C6ATMA1.pdf4.IPD60R950C6ATMA1.pdf5.IPD60R950C6ATMA1.pdf6.IPD60R950C6ATMA1.pdf
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Informazioni tecniche di IPD60R950C6ATMA1
codice articolo del costruttore IPD60R950C6ATMA1 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Pacchetto / caso PG-TO252-3 quantità disponibile 13200 pcs
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 130µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3
Serie CoolMOS™ C6 Rds On (max) a Id, Vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.4A (Tc)
Numero di prodotto di base IPD60R  
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Modello del Prodotto

IPD60R950C6ATMA1

Introduzione

Il prodotto in discussione è un tipo di Semiconduttore Discreto che appartiene alla famiglia dei Trasistori - FET, MOSFET - singola famiglia. È principalmente utilizzato nei circuiti elettrici.

Marca e Produttore

Il prodotto è fabbricato da International Rectifier, ora parte di Infineon Technologies.

Caratteristiche

Le caratteristiche prominenti di questo modello di transistor includono la tecnologia MOSFET (metal oxide semiconductor), il tipo N-Channel FET e la serie CoolMOS C6.

Prestazioni del Prodotto

Questo modello di transistor ha una temperatura di esercizio che va da -55°C a 150°C. Presenta un valore Vgs Max di ±20V e una tensione di guida (Max Rds On, Min Rds On) di 10V.

Specifiche Tecniche

Tecnicamente, il modello presenta una tensione tra drain e source di 600V, una corrente di drain continua di 4,4A a 25°C e una capacità di dissipazione di potenza di 37W. Operativa con una carica del gate (Qg) di 13nC a 10V e una capacità di ingresso (Ciss) di 280pF a 100V.

Dimensioni, Forma e Imballaggio

È confezionato in formato Tape & Reel (TR). Il tipo di montaggio è Surface Mount e la custodia è in TO-252-3, DPak (2 Led + Tab), SC-63. Il pacchetto dispositivo del fornitore è PG-TO252-3.

Qualità e Affidabilità

Il prodotto assicura la affidabilità e la qualità per cui International Rectifier (Infineon Technologies) è ampiamente conosciuto.

Vantaggi del Prodotto

Questo tipo di FET N-Channel offre un'efficienza operativa eccezionale. In generale, il prodotto offre una densità di potenza elevata e un'eccellente performance.

Competitività del Prodotto

Il modello di transistor è competitivo grazie alla sua tecnologia avanzata, alla densità di potenza ottimale e alla performance eccezionale.

Compatibilità

Il prodotto è altamente compatibile con circuiti che richiedono FET e MOSFET.

Certificazione e Conformità ai Standard

Il prodotto è conforme a tutte le certificazioni standard applicabili ai Semiconduttori Discreti, sebbene questi dettagli possano variare a seconda della regione.

Durata e Sostenibilità

La durata e la sostenibilità del prodotto sono sufficientemente elevate da garantire la performance desiderata durante tutto il ciclo di vita progettato del prodotto.

Campi di Applicazione Effettivi

Considerando gli aspetti tecnici, questo tipo di transistor è ampiamente utilizzato nel settore dell'elettronica, in particolare nei circuiti di alimentazione, amplificatori e progetti di commutazione.

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