Informazioni tecniche di IPD65R420CFDBTMA1
codice articolo del costruttore IPD65R420CFDBTMA1 Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Pacchetto / caso PG-TO252-3 quantità disponibile 2631 pcs
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 340µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-TO252-3
Serie CoolMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 420mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 83.3W (Tc) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 100 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Tc)
Numero di prodotto di base IPD65R  
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Componenti IPD65R420CFDBTMA1Inventario IPD65R420CFDBTMA1IPD65R420CFDBTMA1 Digikey
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Datasheet IPD65R420CFDBTMA1Scarica la scheda tecnica IPD65R420CFDBTMA1Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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