| IPP200N25N3 G | |
|---|---|
| Modello di prodotti | IPP200N25N3 G |
| fabbricante | Infineon Technologies |
| Descrizione | IPP200N25N3 G Infineon Technologies |
| quantità disponibile | 2850 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
| Modello ECAD | |
| Schede tecniche | |
| IPP200N25N3 G Price |
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| Informazioni tecniche di IPP200N25N3 G | |||
|---|---|---|---|
| codice articolo del costruttore | IPP200N25N3 G | Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | IPP200N25N3 G Infineon Technologies |
| Pacchetto / caso | TO220 | quantità disponibile | 2850 pcs |
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 270µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Serie | OptiMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 64A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7100pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 250V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
| Scaricare | IPP200N25N3 G PDF - EN.pdf | ||
Modello del Prodotto
IPP200N25N3 G
Introduzione
Mosfet ad alta potenza per commutazione e amplificazione.
Marca e Produttore
Infineon Technologies (precedentemente International Rectifier)
Caratteristiche
Semiconduttore discreto; MOSFET N-Channel singolo; Montaggio a foro passante; Serie OptiMOS; Esente da piombo e conforme RoHS.
Prestazioni del Prodotto
Intervallo di temperatura operativa -55°C ~ 175°C; Potenza massima dissipata 300W; Tensione drain-source (Vdss) 250V; Corrente continua drain (Id) 64A; Basso Rds On 20 mOhm; Carica del gate (Qg) 86nC.
Specifiche Tecniche
Tecnologia Metal Oxide Semiconductor (MOS); Confezione del dispositivo fornitore PG-TO-220-3; Tensione di soglia Gate-Source 4V; Capacità di ingresso (Ciss) 7100pF; Tensione di pilotaggio 10V.
Dimensioni, Forma e Imballaggio
Confezione TO-220-3; Confezione del produttore PG-TO-220-3; Imballaggio a tubo.
Qualità e Affidabilità
Prestazioni ad alta temperatura; Costruzione durevole e affidabile.
Vantaggi del Prodotto
Gestione di alta corrente; Conversione di potenza efficiente; Gestione termica.
Competitività del Prodotto
Adatto per applicazioni ad alta potenza competitive; Leader di mercato nei Mosfet di potenza.
Compatibilità
Compatibile con vari design di circuiti.
Certificazione e Conformità ai Standard
Conforme RoHS.
Durata e Sostenibilità
Lunga durata operativa; Opzioni di prodotto ecologiche.
Campi di Applicazione Effettivi
Alimentatori; Controlli motore; Inverter; Alimentatori a commutazione.
Scrivici: Info@Ariat-Tech.com o RFQ IPP200N25N3 G online.
| Azione IPP200N25N3 G | Prezzo IPP200N25N3 G | Elettronica IPP200N25N3 G | |||
| Componenti IPP200N25N3 G | Inventario IPP200N25N3 G | IPP200N25N3 G Digikey | |||
| Fornitore IPP200N25N3 G | Ordina IPP200N25N3 G online | Inchiesta IPP200N25N3 G | |||
| Immagine IPP200N25N3 G | Immagine IPP200N25N3 G | IPP200N25N3 G PDF | |||
| Datasheet IPP200N25N3 G | Scarica la scheda tecnica IPP200N25N3 G | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |||
| Parti correlate per IPP200N25N3 G | |||||
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| Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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