IR21824S
Modello di prodotti IR21824S
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
quantità disponibile 2885 pcs new original in stock.
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.IR21824S.pdf2.IR21824S.pdf3.IR21824S.pdf
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Informazioni tecniche di IR21824S
codice articolo del costruttore IR21824S Categoria Circuiti integrati (ICS)
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Pacchetto / caso 14-SOIC quantità disponibile 2885 pcs
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V Contenitore dispositivo fornitore 14-SOIC
Serie - Tempo di salita / scadenza (Typ) 40ns, 20ns
Contenitore / involucro 14-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Pacchetto Tube
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Frequenza di ingresso 2
Tipo montaggio Surface Mount Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V
Tipo di ingresso Non-Inverting Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Configurazione guidata Half-Bridge
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.9A, 2.3A Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent
Numero di prodotto di base IR21824 IR21824S Dettagli PDF [English] IR21824S PDF - EN.pdf
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Modello del Prodotto

IR21824S

Introduzione

Circuito integrato driver per gate a ponte metà ad alta tensione

Marca e Produttore

Infineon Technologies

Caratteristiche

Canali indipendenti per alta e bassa tensione, driver a 2 canali per IGBT e MOSFET a canale N, supporto per driver Bootstrap ad alta tensione, logica di input non invertente

Prestazioni del Prodotto

Corrente di uscita di picco sorgente: 1.9A, corrente di uscita di picco pozzo: 2.3A, tempo di salita (tipico): 40ns, tempo di discesa (tipico): 20ns

Specifiche Tecniche

Tensione di alimentazione: 10V a 20V, tensione logica - VIL: 0.8V, tensione logica - VIH: 2.7V, tensione massima lato alto (Bootstrap): 600V

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Montaggio su superficie 14-SOIC (larghezza 3.90mm), pacchetto dispositivo fornitore: 14-SOIC

Qualità e Affidabilità

Gamma di temperatura operativa: -40°C a 150°C (TJ)

Vantaggi del Prodotto

Progettato per dispositivi a commutazione veloce, in grado di pilotare IGBT e MOSFET ad alta tensione, protezione integrata contro il blocco per sottotensione

Competitività del Prodotto

La condizione obsoleta consente di essere considerato per la manutenzione dei sistemi legacy

Compatibilità

Compatibile con tecnologie MOSFET a canale N e IGBT

Certificazione e Conformità ai Standard

Rispetta gli standard industriali applicabili (certificazioni specifiche non dichiarate)

Durata e Sostenibilità

Adatto per gamme operative estese

Campi di Applicazione Effettivi

Utilizzato in controllori di motori, inverter e alimentatori a commutazione

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