IR2233SPBF
Modello di prodotti IR2233SPBF
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
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Modello ECAD
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Informazioni tecniche di IR2233SPBF
codice articolo del costruttore IR2233SPBF Categoria Circuiti integrati (ICS)
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Pacchetto / caso 28-SOIC quantità disponibile 3193 pcs
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V Contenitore dispositivo fornitore 28-SOIC
Serie - Tempo di salita / scadenza (Typ) 90ns, 40ns
Contenitore / involucro 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto Tube
temperatura di esercizio 125°C (TJ) Frequenza di ingresso 6
Tipo montaggio Surface Mount Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V
Tipo di ingresso Inverting Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 1200 V
Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Configurazione guidata Half-Bridge
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 250mA, 500mA Base-Emitter Tensione di saturazione (max) 3-Phase
Numero di prodotto di base IR2233 IR2233SPBF Dettagli PDF [English] IR2233SPBF PDF - EN.pdf
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Modello del Prodotto

IR2233SPBF

Introduzione

Circuito integrato driver per gate a 3 fasi per IGBT e MOSFET a canale N

Marca e Produttore

Infineon Technologies

Caratteristiche

Tre driver a mezzo ponte, funzione bootstrap integrata, protezione da sottotensione per tutti i canali, logica di prevenzione della conduzione incrociata, ritardi di propagazione abbinati per tutti i canali

Prestazioni del Prodotto

Driver d'uscita robusti con alta capacità di corrente, operazione efficiente con minimo tempo morto

Specifiche Tecniche

Sei canali di driver per configurazione a 3 fasi, intervallo di tensione di pilotaggio del gate: 10V a 20V

Dimensioni, Forma e Imballaggio

Pacchetto 28-SOIC, confezione a tubo, larghezza: 7,50 mm

Qualità e Affidabilità

Alta capacità di tensione fino a 1200V per circuito bootstrap, adatto per ambienti industriali severi

Vantaggi del Prodotto

Permette un design compatto ed efficiente per applicazioni di potenza

Competitività del Prodotto

Ottimizzato per pilotare IGBT e MOSFET di potenza in sistemi a 3 fasi

Compatibilità

Compatibile con vari modelli di IGBT e MOSFET a canale N

Certificazione e Conformità ai Standard

Prodotto secondo gli standard del settore per driver di gate

Durata e Sostenibilità

Lunga durata operativa adatta per un uso prolungato nell'elettronica di potenza

Campi di Applicazione Effettivi

Azionamenti di motori industriali, sistemi UPS, applicazioni inverter, sistemi di energia rinnovabile

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