IRF7755GTRPBF | |
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Modello di prodotti | IRF7755GTRPBF |
fabbricante | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP |
quantità disponibile | 6000 pcs new original in stock. Richiedi stock e preventivo |
Modello ECAD | |
Schede tecniche | 1.IRF7755GTRPBF.pdf2.IRF7755GTRPBF.pdf3.IRF7755GTRPBF.pdf |
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IRF7755GTRPBF Price |
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Informazioni tecniche di IRF7755GTRPBF | |||
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codice articolo del costruttore | IRF7755GTRPBF | Categoria | |
fabbricante | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP | quantità disponibile | 6000 pcs |
Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 250µA | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP | Serie | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 51mOhm @ 3.7A, 4.5V | Potenza - Max | 1W |
Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | Pacchetto | Cut Tape (CT) |
Tipo montaggio | Surface Mount | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A |
Configurazione | 2 P-Channel (Dual) | Numero di prodotto di base | IRF775 |
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IRF7755GTRPBF
MOSFET di potenza per applicazioni ad alta efficienza
International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET P-Channel Doppio, Gate a livello logico, Conforme RoHS, Tecnologia HEXFET, Dispositivo di montaggio superficiale
Elevato capacità di corrente di 3.9A, Efficiente gestione della potenza di 1W, Basso Rds(On) per ridurre le perdite di potenza, Ampio intervallo operativo di temperatura
20V Tensione Drain-Sorgente, 51 mOhm RDS(max)(on) massimo, 1.2V Tensione di soglia massima del gate, 3.9A Corrente continua di scarico, 17nC Carica massima del gate, 1090pF Capacitance massima di ingresso
Confezione 8-TSSOP, Larghezza di 0.173 pollici (4.40mm), Fornito in Digi-Reel per quantità flessibili
Costruito secondo elevati standard di fabbricazione per prestazioni costanti
Conversione di potenza ad alta efficienza, Fattore di forma compatto per applicazioni sensibili allo spazio
Rapporto potenza-dimensioni competitivo, Preferito per applicazioni di pilotaggio del gate a livello logico
Adatto per processi di assemblaggio SMD standard, Facilmente integrabile con sistemi basati su microcontrollore
Esente da piombo, Conforme RoHS
Prestazioni durevoli in condizioni operative specificate
Gestione della potenza, Convertitori DC-DC, Sistemi di gestione delle batterie, Attrezzature informatiche e telecomunicazioni
Azione IRF7755GTRPBF | Prezzo IRF7755GTRPBF | Elettronica IRF7755GTRPBF | |||
Componenti IRF7755GTRPBF | Inventario IRF7755GTRPBF | IRF7755GTRPBF Digikey | |||
Fornitore IRF7755GTRPBF | Ordina IRF7755GTRPBF online | Inchiesta IRF7755GTRPBF | |||
Immagine IRF7755GTRPBF | Immagine IRF7755GTRPBF | IRF7755GTRPBF PDF | |||
Datasheet IRF7755GTRPBF | Scarica la scheda tecnica IRF7755GTRPBF | Produttore Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Parti correlate per IRF7755GTRPBF | |||||
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Immagine | Modello di prodotti | Descrizione | fabbricante | Richiedi un preventivo | |
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IRF7756TR MOS | IR TSOP8 | IR | ||
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IRF7756 | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP | Infineon Technologies | ||
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IRF7755TRPBF | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | Infineon Technologies | ||
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IRF7751TRPBF. | IRF7751TRPBF. IR | IR | ||
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IRF7757TRPBF | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP | Infineon Technologies | ||
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IRF7756GTRPBF | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Infineon Technologies | ||
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IRF7757TR | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 | Infineon Technologies | ||
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IRF7755TR | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP | Infineon Technologies | ||
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IRF7754GTRPBF | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP | Infineon Technologies | ||
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IRF7755 | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP | Infineon Technologies | ||
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