IRFH7882TRPBF
Modello di prodotti IRFH7882TRPBF
fabbricante Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN
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Modello ECAD
Schede tecniche 1.IRFH7882TRPBF.pdf2.IRFH7882TRPBF.pdf3.IRFH7882TRPBF.pdf4.IRFH7882TRPBF.pdf
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Informazioni tecniche di IRFH7882TRPBF
codice articolo del costruttore IRFH7882TRPBF Categoria  
fabbricante Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) Descrizione MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN
Pacchetto / caso 8-PQFN (5x6) quantità disponibile 3073 pcs
Vgs (th) (max) a Id 3.6V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)
Serie FASTIRFET™ Rds On (max) a Id, Vgs 3.1mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 4W (Ta), 195W (Tc) Contenitore / involucro 8-VQFN
Pacchetto Tape & Reel (TR) temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3186 pF @ 40 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80 V Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta)
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